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【GaAs】V-X族化合物半導体【終わり?】

1 :名も無きマテリアルさん:04/07/17 18:47
少なくとも、研究対象としては終わりだよね?

71 :名も無きマテリアルさん:05/01/08 01:53:09
上がってんのはInだろ

72 :名も無きマテリアルさん:05/01/08 01:58:42
ついに枯渇しましたか。インジウム。

73 :名も無きマテリアルさん:05/01/08 02:08:51
Inがなくなったら何の時代がくるかね


74 :あぼーん:あぼーん
あぼーん

75 :名も無きマテリアルさん:05/01/09 01:25:34
また応物もポスターなんかなIII-V族結晶

76 :名も無きマテリアルさん:05/01/09 09:38:40
Inは去年末に少し下げたが、また上昇し始めた。

今年は、Gaの動きが非常に気になります。

77 :名も無きマテリアルさん:05/01/26 13:50:41
InAs/GaAs!!

78 :名も無きマテリアルさん:05/01/26 18:44:29
太陽電池としてはダメかな?

79 :名も無きマテリアルさん:05/01/27 00:26:38
>>78
それこそコストが命では?

80 :名も無きマテリアルさん:05/01/27 01:11:12
>>77
量子ドット?東大?

81 :名も無きマテリアルさん:05/01/28 21:57:04
>>77
実は(111)面でエピとか。w

82 :名も無きマテリアルさん:05/02/01 17:24:02
77ですがドットです。○大です。
先日研究テーマ与えられ先生に自由なドット位置制御を目指せ!と力説されたのですが、
制御できたら何に使えるの?って疑問です。
(001)面?とかなんとかっていってました。
研究室新入りなんでよくわかりません・・・


83 :名も無きマテリアルさん:05/02/02 01:13:27
(001)面がわからないとなるとあんま頭のいい大学ではなさそうだな
(煽っているわけじゃないよ。)
電通大だったか、位置の制御やってたっけな(遠い記憶)
位置制御の前に、サイズは揃ってんの?


84 :名も無きマテリアルさん:05/02/02 16:01:25
「サイズは揃っているから・・・」みたいなことを先生が語っていたような気がします・・・
最終的にはどういうものが作りたいのでしょうか・・・作れるのでしょうか?

85 :名も無きマテリアルさん:05/02/02 21:50:53
量子ドットやとレーザーちゃうか?InAsなら通信波長帯でしょう。
というかレーザーとなるとドットのサイズも原子層単位の制御が必要と
思うのですが。量子井戸レーザーもそうやし...
そこのとこはどうなんですかね?

86 :名も無きマテリアルさん:05/02/03 01:16:27
作られて無いのを作るのが研究だからなあ…何ともいえないけど。どーやって位置を制御しようとしてんの?

InAs/GaAsの量子ドットだったら>>85の言うとおり、レーザとかディテクタの研究がありがちかな
1.3umの量子ドットレーザが発振して、最近は1.55umを目指すってのが流行かと
ただ、レーザにもディテクタにしても光デバイスには位置制御はほとんど必要ないよな

位置制御が必要と言えば、単電子トランジスタとか、単一光子光源かなあ
完璧に整列させられればフォトニック結晶とかの応用もあるかと

87 :名も無きマテリアルさん:05/02/04 14:22:00
フォトニック結晶というテーマも研究室のテーマに含まれていた気がします。
おっしゃる通りフォトニック結晶とあわせてなにかしようとしてるのかな・・・
フォトニック結晶への応用例ってどんなものなのでしょうか??

88 :名も無きマテリアルさん:05/02/04 17:05:14
量子コンピュータは??

89 :名も無きマテリアルさん:05/02/05 02:45:17
86で単電子トランジスタは量子コンピュータの意味で書いたけど、分かりにくいね
確かに量子コンピュータってはじめっから言ったほうがいいな

>>87
フォトニック結晶の応用ってのは、そのまんまフォトニック結晶のピラーを量子ドットにするのよ
今あるフォトニック結晶のピラーはエッチングを使って250nm程度。量子ドットは20nm程度だから、
位置を制御できれば微細なレーザや光スイッチが出来る。そうすれば、光集積回路なんかも
展望的に出来ることになる

90 :メモらせて:05/02/05 16:40:25
http://travel2.2ch.net/test/read.cgi/21oversea/1107588869/
http://tmp4.2ch.net/test/read.cgi/joke/1107588806/
http://academy3.2ch.net/test/read.cgi/whis/1107589113/
http://science3.2ch.net/test/read.cgi/rikei/1107589185/

91 :名も無きマテリアルさん:05/02/06 18:31:57
なるほど。ピラー構造というもの写真を研究室の先輩が見せてくれましたが、
あれをドットにするということですか。
ところで単電子トランジスタを応用したものが量子コンピュータということですか?

1.ドットの位置制御⇒単電子トランジスタ⇒量子コンピュータ
2.ドットの位置制御⇒フォトニック結晶への応用
みたいな感じと思ってよいのでしょうか。




92 :名も無きマテリアルさん:05/02/06 23:03:15
>>91
単電子トランジスタは量子コンピュータの候補のうちの1つ、程度の段階だよ
89は量子コンピュータって書こうと思って間違えて単電子トランジスタと書きました、程度の意味だと思って

量子コンピュータはそもそもShorのアルゴリズムが元になっているわけで、それを物理的に何を用いるのかは
まだまだ模索段階。IBMなんかは液体で素因数分解を達成したし、
富士通は量子ドットを配列させた結合量子ドットで量子コンピュータが作れると提案している。

まあ、本当に量子ドットが位置制御できたり、形状やサイズや密度が完璧に制御できるならば
ものすごい革新的できごとでしょう。因みに、量子ドットはどのように作ってるんですか?MOCVD?MBE?

93 :名も無きマテリアルさん:05/02/06 23:55:21
いいなぁ〜、量子効果デバイス。
おいらは窒化物半導体だよ…。
地味杉。

94 :名も無きマテリアルさん:05/02/07 03:32:20
そうかね。よっぽど窒化物の方が流行だと思うけど
俺も窒化物やりたいよ
しかし窒化物で量子効果もあるでしょ
AlN/GaN量子ドットとか、ISBTとか

95 :名も無きマテリアルさん:05/02/07 12:59:13
量子ドットはMBEで作っているとのことです。
私はまだ使ったことはありませんが。

96 :名も無きマテリアルさん:05/02/07 16:07:21
とつぜんですまんがMBE関係の論文でInAs/InGaAs/GaAsでInAsドット作ると
InAs/GaAsの時よりも密度が上がる、っていうの見かけたんだけどどうしてだろ?
InGaAsはIn=0.15,Ga=0.85で50nmくらいだったかな・・・

97 :名も無きマテリアルさん:05/02/07 19:51:44
http://www.kissnet.ne.jp/fs/v740/bbs.cgi?room=0000
拳銃の所持で逮捕されたらしいぞ!

98 :名も無きマテリアルさん:05/02/08 01:26:57
>>94
窒化物の何が今現在流行ってるのでしょうか?
窒化物と聞いたら青色発光ダイオードぐらいしか思いつかないアホなおいらに教えてくださいませ。

99 :名も無きマテリアルさん:05/02/08 02:34:02
>>96
InPの上にtensileのInGaAsをバッファで敷いてInAsを成長すると
均一になる≒密度増加するって聞いた事あったかなあ。確かcaltechの論文。この場合は
・tensileのバッファで歪みの増加
・界面でのAs/P交換の抑制
が直感的に予測できるけど、>>96に書いてあるのは両方とも当てはまらない状況だなあ
compressiveでAs/P界面も無し。Inの偏析でも関係あるのかしら

その論文の元は?晒しても問題ないでしょ。てか論文にちょっとは考察書いてあるのでは


100 :名も無きマテリアルさん:05/02/08 02:36:44
あ、>>99に書いたのはMOCVDでの話ね。構造的には変わらないと思うけど・・・

>>98
おれも窒化物やってるわけじゃないからそこまで詳しいわけじゃないけど
よく聞くテーマは(In)GaNの発光過程の解明、結晶成長、Al(Ga)N深紫外LED
In(Ga)N遠赤外・光通信帯域のデバイスへ向けた結晶成長、GaN量子ドット、
AlN/GaN面発光レーザ、AlN/GaN ISBTを用いた超高速光スイッチ・QWIP(QDIP)・カスケードレーザーなど・・・

やっぱ可視領域ってのが一番ロマンを感じる。
InP系なんぞPLとっても何も目では見えないのが寂しい。てか光通信秋田

101 :名も無きマテリアルさん:05/02/08 11:34:35
InAs/InGaAs/GaAsの件だが図書館で他の調べものしてる時にチラッと見た
程度であんまりよくみなかった・・・・時間なかったもんで・・・
また見にいってみよう。
もし詳しい人いたらなにか教えてほしいです。

102 :名も無きマテリアルさん:05/02/08 12:42:03
量子ドットやフォトニック結晶について少し調べてみたんですが、
ピラーをドットにするというのは
ドットのあるところにフォトニック結晶の欠陥を作って光導波路にする、ということですか?
ドットが発光してその光を伝播できる→だからドットの位置制御が必要
と理解してよいのでしょうか?

103 :名も無きマテリアルさん:05/02/08 13:28:09
GaAsとInSbの移動度を測ったら文献値の8500(cm^2/Vs),80000に対してそれぞれ3440、30460となってしまいました。
この原因ってなんですか?
ホール素子が幾何学的に非対称とかじゃないですよね?


104 :名も無きマテリアルさん:05/02/09 01:18:35
>>103
測定系がおかしいだけなんじゃねーの?

105 :名も無きマテリアルさん:05/02/09 09:47:07
>>104
それもあると思うんですが、それ以外に原因があるらしいんです。

106 :名も無きマテリアルさん:05/02/19 15:25:28
ttp://t1000.minidns.net/boxes.2835/music/2005021914432901.mp3

107 :名も無きマテリアルさん:05/02/19 18:50:58
SbってMOVPEでできんの?

108 :名も無きマテリアルさん:05/03/02 09:48:37
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2005/0302/idf03.htm

109 :名も無きマテリアルさん:05/03/03 00:14:23
Compound Semiconductorを複合半導体っていうのか?
初めて聞いた

110 :名も無きマテリアルさん:05/03/03 20:36:51
化合物半導体になってる。
間違えただけか

111 :名も無きマテリアルさん:05/03/04 03:01:29
スピントロニクスか…。

112 :名も無きマテリアルさん:05/03/08 21:22:23
>>96
InGaAs成長後にクロスハッチがあるからとか?
クロスハッチってそんな密度あったかな (-_-;ウーン

113 :名も無きマテリアルさん:2005/05/27(金) 20:21:57
簡単な質問ですいません。
どうしてHCVDでAlNをつくるときに蒸気圧の高いAlI3でなくAlCl3がつかわれるのですか?


114 :名も無きマテリアルさん:2005/05/29(日) 23:45:07
>>112
ない、というかそもそもクロスハッチがでたら光デバイスとしては無意味じゃね

115 :名も無きマテリアルさん:2005/06/07(火) 23:13:28
GaAs上に絶縁膜を乗せて電気でCV測りたいんだが、
絶縁膜には何がいいの?
調べると色々あって迷う。


116 :名も無きマテリアルさん:2005/06/15(水) 17:05:44
ポリSiしかやってない俺が来ましたよ

117 :777:2005/06/29(水) 17:18:26
>116
ワロタ

118 :名も無きマテリアルさん:2005/07/04(月) 00:26:56
>>116
Inが枯渇したら君の時代ですよ。

119 :名も無きマテリアルさん:2005/07/04(月) 09:52:47
アメリカでGaAs基板の需要があるらしいけど。
好調らしい。これどこ?

120 :774& ◆RJ3P8q/ogc :2005/07/04(月) 11:00:30
RF MICRO OR MOTOROLA

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