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トランジスタってもういらなくね?

1 :774ワット発電中さん:05/01/02 14:33:55 ID:8A0yrQ+J
FETだけでよくね?
規格表の厚さも FET >>> トランジスタだしね。

2 :774ワット発電中さん:05/01/02 14:45:02 ID:YspLuPhR
当初の予定通り、FETが先に発明された世界だったらどうだろう。

3 :774ワット発電中さん:05/01/02 14:45:18 ID:Ck0DAUbB
■▲▼
【1:1】トランジスタってもういらなくね?
1 名前:774ワット発電中さん 05/01/02 14:33:55 ID:8A0yrQ+J
FETだけでよくね?
規格表の厚さも FET >>> トランジスタだしね。


4 :774ワット発電中さん:05/01/02 14:57:11 ID:TWg2ZzYS
>>1
スレタイ通りなら、電界効果トランジスタも不要でしょ。

5 :笛の踊り ◆Toei/piGHQ :05/01/02 15:10:14 ID:1SfuuPVL
ICのチップ上に形成されてるのも要らないの?

6 :774ワット発電中さん:05/01/02 15:29:43 ID:mlXFic2J
静電誘導型Tr.とか金属遷移型Tr.はどうよ?


7 :774ワット発電中さん:05/01/02 21:39:57 ID:4jfEebNM
IGBTとかどうなっちゃう

8 :774ワット発電中さん:05/01/02 23:25:43 ID:QTy8/rYx
3.3Vや2.5V系で動くFETも出てきたしね。


9 :774ワット発電中さん:05/01/03 00:29:09 ID:XW+O9fYT
トランジスタもFETも殆ど同時に発明されたんだっつーの。

10 :774ワット発電中さん:05/01/03 01:55:27 ID:bZFHlcGa
>>1
あんた馬鹿?
バイポーラの増幅率を甘く見ちゃいけない
アンプに使われてるトランジスタで入力段と出力段以外はいまだに高い増幅率を持つ
バイポーラが多用されてるんだよ

11 :774ワット発電中さん:05/01/03 02:28:28 ID:mH4fPwT4
FETばっかりつかってると、バ化になるよ

12 :774ワット発電中さん:05/01/03 03:33:27 ID:EG4I7jcL
トランジスタ壊れた時の代換トランジスタが無いとな。

13 :774ワット発電中さん:05/01/03 23:37:48 ID:mH4fPwT4
不飽和だバカモン

14 :774ワット発電中さん:05/01/06 10:13:24 ID:mxkd5psv
>>1 ( ゚Д゚)ポカーン

15 :地道な人:05/01/10 15:24:14 ID:dCebwRwy
トランジスタと比べて足の配置が結構バラバラ
E(エミッタ)C(コレクタ)B(ベース)
トランジスタ→E、C、BとE、B、C
S(ソース)G(ゲート)D(ドレイン)
FET→S、G、DやD、S、GにS、D、G
FETだけでスーパーヘテロダイン式ラジオ作れ>>1さん(FETは4石だけでスピーカー鳴らせる)
ちなみにポンコツラジカセから取り出したラジオ部の基板のトランジスタは
FETくらいの厚さしかない(FM部を除く)
トランジスタの表示→A114・C114・C2668・C2785・A1175(2Sは省略)

16 :774ワット発電中さん:05/01/10 16:13:45 ID:5rIXnVOy
>>15
フェットならボディ端子も忘れずに。

17 :774ワット発電中さん:05/01/10 18:15:04 ID:Nn/KA5CI
端子は回路図と同じ順番がわかりやすいよね

18 :774ワット発電中さん:05/01/10 21:28:22 ID:Z60Etw4u
>ちなみにポンコツラジカセから取り出したラジオ部の基板のトランジスタは
>FETくらいの厚さしかない(FM部を除く)

何が言いたいのかが分からないのは俺だけですか

19 :774ワット発電中さん:05/01/10 23:05:50 ID:paBMUG3a
パッケージの大きさのことじゃないの?

リード部品だけどTO-92みたいな大きいヤツじゃなくて
小信号用のFETによくある薄い四角なヤツを指しているとみた。

20 :774ワット発電中さん:05/01/13 10:54:00 ID:zSYFngQ6
2SC1815は永遠に不滅です!


21 :774ワット発電中さん:05/01/13 11:56:04 ID:rmFdQv2a
2SA1015も忘れないで!

22 :774ワット発電中さん:05/01/13 12:24:00 ID:8cw7BDOw
>>20-21 コンプリメンタリケコーン

23 :774ワット発電中さん:05/01/13 14:15:17 ID:rmFdQv2a
その前はA733とC945だったな

24 :地道な人:05/01/13 16:27:17 ID:J6rR9Dn7
また2SA1015GRと2SC1815GRを買い足さないと

25 :774ワット発電中さん:05/01/13 20:58:50 ID:eTrlq5kX
1015と1815は多用してたんだが、チップ(SA1313/SC3325)に置き換えると実装面積はぐーんと減るよ。

26 :774ワット発電中さん:05/01/13 20:59:27 ID:Y3DSNb6t
>>25   
YahooBB218137134021.bbtec.net
http://dictionary.reference.com/search?q=electronics
The science and technology of electronic phenomena.

http://dictionary.reference.com/search?q=electronic.
Of or relating to electrons.
Of, based on, operated by, or otherwise involving the controlled conduction of electrons or other charge carriers, especially in a vacuum, gas, or semiconducting material.

eTrlq5kXはelectronicsの意味すら知らない高卒確定。

どんなローカル学会のどんなローカルルールやローカル用語を
書き散らしたところで、

高卒eTrlq5kXの妄言:「フーリエ変換もウィナーフィルタも世の中にあるものは全て偽物だ!疑似だ!そんなものは実現不可能だムキー!!!」
一流大学大学院生によるクリティカルヒット:
「離散化とは高卒以外にとっては帯域制限以外の何物でもない。
よって高卒以外で離散化を疑似フーリエ変換とか疑似ウィナーフィルタなんて言ってる奴は世界に一人もいない。
ググっても0件だ。」

高卒eTrlq5kXの妄言:「周波数領域ではデータが全部そろわないと計算できないんだ!実現不可能なんだムキーー!!」
一流大学大学院生によるクリティカルヒット:「有限長カーネルのコンボリューションは帯域制限付き窓つき短時間フーリエ変換と等価であり、有限長カーネル・窓のコンボリューションを使った実時間周波数領域フィルタは幾らでも実用化されている。
そもそも世の中のDSPのほとんどがこの目的で使われている事すら知らないとはあまりにも哀れ。」

高卒eTrlq5kXの妄言:「サンプリングでは帯域制限なんか絶対されないんだ!AAFが帯域制限の原因なんだムキー!!!」

一流大学大学院生によるチェックメイト:
「ほう、ならAAFを外せばCDは60KHzの音も記録・再生できるというわけか。乙。」

高卒eTrlq5kXの断末魔:「サンプリング定理に帯域制限されるなんて書いてない!ムキー!!」

一流大学大学院生によるとどめ:
「サンプリングで帯域制限されるとは何度も書いてるがサンプリング定理で帯域制限されるなどとは
一度も書いた事がない。日本語すら読めない高卒哀れ。マジ哀れ。
まさかサンプリングとサンプリング定理の区別すらついてないのか?」


これがおまえeTrlq5kXの現実。


しかし、自分が選んできたテーマでずたぼろにされる事ほど哀れなものはないよな。
死んだ方が良くない?

あの高卒ってば、まぁ俺の専門分野ならずたぼろに出来るのは当たり前だから面白くないから
「この板に来てる以上知らない事は許されない固体物理の常識」
を聞いてやった訳よ。
それでもずたぼろで哀れなので、
その高卒が出してきたその高卒の専門分野での質問を答えてやった上に、
如何に高卒がデタラメな事いってるかこてんぱんにして潰してやった訳よ。

まぁ、 狂 う わ なプククククククク

中卒の脳内学会では、反論できなくなると
「●●学会〜〜!!」とか学会名を叫ぶと許してもらえるんだろうか?

そ ん な 哀 れ な 学 会 に は 
間 違 っ て も 近 寄 ら な い

まぁ脳内学会だろうけどな。


27 :774ワット発電中さん:05/01/14 00:17:46 ID:IWIRsSEc
1815より2458が好きな人はいないのか

28 :774ワット発電中さん:05/01/14 01:23:45 ID:nqZkKe5v
ちっちゃくてかわいい!

29 :774ワット発電中さん:05/01/14 07:37:52 ID:0eF72j1N
おれは2SC1740派

30 :774ワット発電中さん:05/01/14 11:19:28 ID:kF+MGxh6
デジトラしか使っとらんな。

31 :774ワット発電中さん:05/01/14 11:23:36 ID:nqZkKe5v
俺は何でもいい。
バカデカいのや小さすぎて半田付けしにくいのは困るが・・・。

32 :774ワット発電中さん:05/01/15 15:33:30 ID:mR+RnPGV
2SC1000!

33 :774ワット発電中さん:05/01/16 17:15:16 ID:qxs4ba1t
Trは静特性が大体似たり寄ったりだから(不飽和回路で)設計しやすい。
FETはデータシート熟読しないと怖くて使えない。
(仕事だったらTrもちゃんと読むけど。)
数量ではTrのほうが多く使われているのに、FETの品種が多いのは、
FETが癖のある素子であることのあらわれ。コストも高くなる。

FET使えよって設計もときどき見るけどね。

34 :774ワット発電中さん:05/01/16 17:22:45 ID:9KRNSe1S
スイッチの容量性があるから・・・

35 :774ワット発電中さん:05/01/16 17:48:31 ID:8kWM1qVu
俺はFETでないとウマく動作させるのが難しいところやFETを使う方が合理的
な場合にはFETを使っている。
そうでないところはTrで済ます。
Trの方が回路つくりやすい。

36 :774ワット発電中さん:05/02/09 12:35:41 ID:U+OFarLX
ディスクリート

37 :伊507号:05/02/10 16:16:56 ID:RUj1HksT
FETはフェットとは読まんよ
えふいーてぃー そのまんま読み

38 :774ワット発電中さん:05/02/10 17:15:18 ID:r2Y8fiTB
>>37
いや読む。MOS FET「モスフェット」、GaAs FET「ガスフェット」、MES FET[メスフェット」、
H-FET「エッチフェット」…なぜかJ-FET「ジェイフェット」はあまり聞かない。

でも単独で"FET"とあるとやっぱりエフイーティーと読む方が多いような気がする。

39 :774ワット発電中さん:05/02/11 10:29:58 ID:DSQXTBnf
フェチって読む

モスフェチ ガスフェチ・・


40 :伊507号:05/02/11 13:02:28 ID:4whn+xQ6
>>38-39
広辞苑でもエフイーティーと書かれていてフェットとは無いよ

41 :774ワット発電中さん:05/02/12 14:55:51 ID:C8gNIdwD
>>39
どうでもいいが今日の昼飯モスバーガーだった。

じゃぁ、H-FETは「エッチフェチ」?

42 :774ワット発電中さん:05/02/12 15:46:01 ID:ndwziaY/
>>40
広辞苑(゚Д゚;)
いや、あの、ここは正しい日本語かどうかじゃなくて、外部の人と話すときに何て読んでいるかが
問題じゃないかと。広辞苑でエフイーティーだからフェットと読んじゃいけない、ってのは
ひきこもり理論ではないでしょうか。

43 :774ワット発電中さん:05/02/15 05:00:19 ID:tsYDHHFl
レスがどんどんドランジスタからFETの読み方に変わっていく・・・。

44 :774ワット発電中さん:05/02/15 16:09:34 ID:ZbdcRSlR
だってさ、トランジスタいらねって誰も思わないモン。

温故知新で、古いからいらないのではなく、
そこからまた新しいのができるだけ。基本は
消えることがない。



45 :774ワット発電中さん:05/02/15 17:36:50 ID:tsYDHHFl
話が少しずれるけど、真空管もいまだに必需ですしね。

オーディオじゃないけど、TVやラジオの放送に高周波増幅(500W以上)とか。

新しいものでもできないことがあるしねぇ。

46 :774ワット発電中さん:05/02/15 18:02:22 ID:YFC2GNqm
もう半導体化されてるでしょ

47 :774ワット発電中さん:05/02/15 19:07:48 ID:CRYvgZkm
>>46
今はね。

真空管かぁ・・
宇宙空間なら、ニクロム線の卓上コンロの上にナベを乗せれば
二極管になるのかな・・


48 :774ワット発電中さん:05/02/15 22:31:25 ID:fnu0Pts1
>38
V−FETが抜けてまつ(w
K60とJ18持ってるが効率悪い。
AFアンプ作ったけど出力段以外は結局トランジスタでつ。


49 :774ワット発電中さん:05/02/16 03:53:21 ID:eEND6k5n
単純にいいますと、トランジスタは電流で、FETは電圧だから
用途によって分けたほうがいいんだよ。
それで、、、ありゃ?何を書こうとしたかわすれた。スマソ


50 :774ワット発電中さん:05/02/16 03:54:38 ID:eEND6k5n
おーIDがENDだ、なんか嬉しい


51 :774ワット発電中さん:05/02/16 12:32:26 ID:CPE0pDw3
田魁昂嘉賭蘭慈廢

52 :774ワット発電中さん:05/02/16 13:06:08 ID:IngcVQvc
おりゃふぇっと

53 :774ワット発電中さん:05/03/11 13:18:01 ID:UokGTXlr
ラジオ作るとき、トランジスタはインピーダンス変換したりする。
FETは高抵抗のため直結にする
バイポーラトランジスタ、高周波バイポーラトランジスタ、小信号用トランジスタ
低周波バイポーラトランジスタ、電源用トランジスタ、大信号用トランジスタ
すべて無かったらマジ困る。>>1よ考えてくれ・・・

54 :774ワット発電中さん:05/03/11 19:24:59 ID:C9Vy+VPm
どうせ、日本の電子産業なんて衰退の一途だから
どうでもいいでしょ?


55 :774ワット発電中さん:05/03/12 06:39:05 ID:YaC0D6tk
大体TRが0.6VぐらいでONするのを理由に簡単なフィードバック回路を作ったりするから
全部FETになるとだるい。。。
わざわざ、コンパレータ入れたくないしな。
やっぱTRはある程度必要だよ。

56 :774ワット発電中さん:05/03/13 21:41:41 ID:nwMj3DT7
SN悪い、
プロセスによるバラツキが大きい、
FETだけじゃ正直使えない。

57 :774ワット発電中さん:05/03/13 23:39:24 ID:isUdTpvA
昔は個別の小信号高速スイッチング用トランジスタっていうのが実際に
使われていたけれど、最近は見かけない。
最近の CMOS アナログ+デジタル IC なんかを見ると、個別の小信号
バイポーラトランジスタは無くなってしまうのかも知れないね。
もちろん例外はあるだろうけど。

58 :774ワット発電中さん:05/03/14 01:18:24 ID:IlVv9CQY
って言うかデジトラなら、まだ使ってるし...

59 :774ワット発電中さん:05/03/14 22:20:43 ID:C7KDm1Ti
漏れは74LSしか使わん。

60 :774ワット発電中さん:05/03/14 22:32:05 ID:97Pynnlu
LSつかうメリットってあんの?

61 :774ワット発電中さん:05/03/14 22:33:57 ID:C7KDm1Ti
少々乱暴に使っても壊れんし、消費電力の問題。
趣味に使う程度だから処理速度は遅くてもいい。

62 :774ワット発電中さん:05/03/14 22:34:47 ID:97Pynnlu
別にHCでもいいんじゃないの?

63 :774ワット発電中さん:05/03/14 22:39:07 ID:GMXj9eCO
空きピン処理しなくても何とかなってくれるところがありがたいだろ


64 :774ワット発電中さん:05/03/14 22:39:58 ID:C7KDm1Ti
HCはC−MOSだから静電気に弱い。
漏れは冬に作ることが多いから静電気は困るのだ。
まあ、だったら夏に作れと言われたらそれまでだがw

65 :774ワット発電中さん:05/03/14 22:41:47 ID:97Pynnlu
いまのCMOSってめったに壊れないでしょ。
そういやALSってどうなったんだろ

66 :774ワット発電中さん:05/03/14 22:45:53 ID:C7KDm1Ti
漏れの部では未だに使ってますが?

67 :774ワット発電中さん:05/03/19 13:43:56 ID:GkG46an1
>>66
74H とか、7400 もそのまま使っていませんか?
回路図・部品表に書いてあるので、いまさら怖くて変えられないとか。

68 :774ワット発電中さん:05/03/19 14:33:20 ID:OA/rPvYg
確かに下手に変えると誤動作することもあるからなぁ
tpdが小さいのに変えたりすると変なところでグリッジが
出てきたりして誤動作したり(たいてい、元々の設計が悪
いんだけど、今更変えられない)


69 :774ワット発電中さん:05/03/19 15:41:16 ID:pLv8Smir
僕はそういう時、オーバースペックになるけど、
74Hシリーズは「AS」で、74Nシリーズは「AS」で代用することが有る。(どっちも同じか...)
74ASシリーズって高いからなぁー。
でもたしか、74Nシリーズはファンアウトが多いだけと考えて問題な誘うな気もするけど...

70 :69:05/03/19 15:43:24 ID:pLv8Smir
誤:な誘う
正:なさそう

ゴキスマソ

71 :774ワット発電中さん:2005/03/22(火) 07:32:06 ID:f0JEbx2J
>>68
こんなのも考えてみたけど、抵抗の値の設定のしかたがむづかしい。
ttp://proxy.ymdb.yahoofs.jp/users/1491735/bc/Q/crtl.png?bceXftCBGQIg06XE

さっさといいかげんに継続接続しても、まあ、ちゃんと動く、というのは
「USA」のフォード式大量生産工場の流れなんだろな。
おかげさまで、いろいろ勉強させてもらいましたので、批判はしません。

72 :774ワット発電中さん:2005/03/27(日) 15:54:35 ID:q5bx7Clw
>>64
導電性スポンジか、アルミホイルにつつむとヨシ

73 :774ワット発電中さん:2005/04/16(土) 07:07:05 ID:w8AUl78q
半導体アンプなんか、バイポーラないとほんとマジ困る。
FETだと特性がばらつくし、gm低いし、オープンループゲインが
バイポーラ使ったときに比べて低い。(気にしない人はいいけど)
アナログ回路を設計する人はバイポーラは必需品だと思われ。。。
>>1よ。アナログ回路はどうしても個別バイポーラトランジスタが必要なんだ。
(ディジタルは消費電力とか回路規模の面からCMOSとか有利かもしれんが)涙。。。

74 :774ワット発電中さん:2005/04/16(土) 09:30:20 ID:PI+J0adr
CMOS アナログ IC もあります。もっと発展するかもしれませんよ。

75 :774ワット発電中さん:2005/04/16(土) 10:30:53 ID:iY8AV7+k
デジタル信号のレベル変換に便利なんだわ。C1815,A1015
いちいちICで変換なんて、面倒な場合もあるんだよ。

76 :774ワット発電中さん:2005/04/16(土) 11:29:48 ID:PI+J0adr
いちいち3本半田付けするなんて、面倒な場合もあるんだよ。


77 :伊号潜水艦:2005/04/16(土) 13:54:46 ID:T3NmdPVd
ICじゃ最大40も半田付けしなイケンだろ

78 :ダメ工員:2005/04/16(土) 18:08:57 ID:3QJjSp4c
全部が全部ってわけじゃないがCMOSアナログはノイズが多くてな
以前これでV/Fコンバータを組んだが変換比を上げるとボロボロの結果がでたのじゃ
結局、前段にアンプを入れて解決したが… これでPLLなんぞ組んだ日にゃ(ry

和紙の感じではローノイズの用途では(ものにもよるのじゃが)
p型BJT>n型BJT>JFET>>>MOSFET ってな感じじゃ

p型BJTはμA以下の動作でのhfeの伸びがよくてな、ローパワー用途では
よくお世話になったわ

またFETには面白い使い方があってな、ピンチオフ電圧の低いやつを選別して使うと
0.5Vとかで動作するアンプが結構簡単にできるのじゃ
昔これでソーラーセル1個で動作する小型トランスミッタを作ったわい(遠い目)

orz
くそっ、またクレームだしてもうた…今夜は休出で手直しじゃ

79 :774ワット発電中さん:2005/04/17(日) 04:13:43 ID:u48SdiHR
>>78
ガンバレ!

80 :774ワット発電中さん:2005/04/17(日) 04:29:23 ID:HDXIqbcP
>FETには面白い使い方があってな、ピンチオフ電圧の低いやつを選別して使うと
>0.5Vとかで動作する

なるほど、シリコン BJT (Bipolar Junction Transistor) を使ったら、0.5V 電源では
なにもできませんよね。G-S 間の整流作用も存分に利用した回路なんでしょうね。

81 :774ワット発電中さん:2005/04/20(水) 15:52:25 ID:2hRce/+S
誰か2SK125のデータシート持ってないですか
持ってたりある場所を知ってたら教えてください

82 :774ワット発電中さん:2005/04/20(水) 20:34:04 ID:/Bm0DxUL
このくらいしか見つからなかった。
ttp://homepage3.nifty.com/ebina2540/data/2SK/2SK0101-0200.htm

83 :774ワット発電中さん:2005/04/20(水) 20:43:18 ID:idky9DW1
昔、秋月で買ったときに付いていたやつなら・・・

84 :774ワット発電中さん:2005/04/29(金) 20:06:50 ID:9H/SlARq
>>77
そこで1Gateですよ
http://www.semicon.toshiba.co.jp/openb2b/websearch/browseDo.jsp?class=C8351EA4D11

85 :774ワット発電中さん:2005/06/03(金) 01:44:16 ID:rQ8jhoj6
うはwwww

2SC1815 で
Vbe : 666m[V] の時 Ib : 7.48μ[A]
Vbe : 687m[V] の時 Ib : 76.77μ[A]

・・・って ふ ざ け る な よ?

Vbeがちょっとしか増えてないのに、なんでベース電流が

1 0 倍

なんだよ wwwwww
バカか?アホか?この糞トランジスタ野郎!

素直に比例してればいいんだよ!素直にねwwwww

以上QWW

86 :774ワット発電中さん:2005/06/03(金) 02:09:55 ID:kYFL6Ba8
>>85
マジレスすると、
>バカか?アホか?この糞
なのはトランジスタの方ではなくて・・・・ry

87 :774ワット発電中さん:2005/06/03(金) 02:26:26 ID:gNm57m0B
>>86
ああ?!俺様に貴様ごときが直言すると?身分をわきまえたらどう? www

でもトランジスタが糞というのは変わらない事実抱けどもね。
それとも
>なのはトランジスタの方ではなくて・・・・ry

というのはバイアス回路が悪いとでも言いたいわけ?
はっ!!!今度はバイアス回路に責任転嫁ですか。


88 :774ワット発電中さん:2005/06/03(金) 08:40:06 ID:CLbfGvev
責任転嫁はおまえの方だ87

89 :774ワット発電中さん:2005/06/03(金) 13:40:38 ID:5EawpQIn
1815Lって売ってる?

90 :774ワット発電中さん:2005/06/03(金) 20:59:26 ID:31U6ERwH
>>89
今Y億に出てるぞ。
コンプリの2SC1815LGRと・・・

91 :LC:2005/06/04(土) 01:03:47 ID:n0/JEsdx
>>1
FETは同一品種内でもスレッショルド電圧の変動が激しいので、
バイアス設計が難しい。

92 :774ワット発電中さん:2005/06/07(火) 22:15:30 ID:bbtIn/7i
雑音といえば、kT/C[V^2]のおかげで理論的にがんばれない・・・(´Д`:)
L長、W長を上げればフリッカ雑音減るが寄生容量増えるし・・・(´Д`:)

93 :LC ◆sSJBc30S5w :2005/06/07(火) 22:17:35 ID:cR+IJP9M
あと、バイポーラ・トランジスタは、Vbe=0.6Vを境に急激にIbが立ち上がる
特性があるので、入力電圧の僅かな変化に対して大きなIcを得ることが出来
るから、電流増幅率hFEが80程度であるものの、実質的な電圧増幅率は高く
できると思う。ある電圧を境にスイッチング動作させたいような用途でも
使いやすい。入力電圧が0.6Vを僅かでも超えると急激にスイッチがONする
ので。

MOS-FETの場合、この0.6Vに対応するのがVthなんだけど、出力が急激に
立ち上がるわけではないので、増幅用途には使いにくいような気もする
し、スイッチング用途でも、あらかじめ別のトランジスタで一端増幅
しておかないとうまく使えないような。

94 :774ワット発電中さん:2005/06/07(火) 22:33:50 ID:lYXjKh+G
>>85
馬鹿。


95 :774ワット発電中さん:2005/06/08(水) 00:01:54 ID:8mkcA0oS
>>94
ネタにマジ(ry

96 :づー技術者 ■:2005/06/08(水) 21:56:02 ID:aweOUp2V
>>1 の遺言  FETだけでよくね?
規格表の厚さも FET >>> トランジスタだしね。

↑ いらないのは、おまえだよ。そういらない >>1



LSI = トランジスタ,抵抗器などの大規模集積回路。 半導体の集まりだね。


      __ IC = Integrated Circuit,
  =≡ (   @)     ∧∧
   =爪゚∀゚)     (*゚∀゚)<…LSI = Large Scale Integration
  =≡⊂    ⊃    (    )
    =/  つ    │  |
  =≡し'~       し`J



97 :774ワット発電中さん:2005/06/09(木) 00:15:49 ID:OJe3+0GL
 チョン発見!
 >>1はチョンです!!!

 FETのTはトランジスタのTだ!ボケ


98 :774ワット発電中さん:2005/06/09(木) 03:42:03 ID:afXCSYMT
        ,..-‐−-、、
     /^`~",  :\  ,ィ":::::::::::::::::::;;;;;iii>;,、
   ,.-",   /......:::::i::l /:::::::::::::::;;;;;;;;iii彡" ::ヤi、
  ,.i  .|  :キ:::::::::::|::V::::::::::::;:"~ ̄     ::i||li
 / 、  | ,;:::::l:::::::::::マ,.-‐-、j'_,.ィ>、、   .:::iii》
 i、 ヘ  :\:::::::キ;:::::::(:::j::):...) `‐-‐"^{"^ヾノ"
  ヤ、 \:::::\,::::\:;;;:iゞ:-:;ィ     ,.,li`~~i    / ̄ ̄ ̄ ̄ ̄ ̄ ̄ ̄ ̄ ̄ ̄ ̄ ̄ ̄ ̄ ̄ ̄ ̄
.,;iiλ\.,,ィ^-‐'`ー",:::|::;X'::7、   ・=-_、, .:/   <   この>>1をさっさとつまみ出せ!!
";ii::i`ゝ、::;;;:、-‐-;;;;i‐'''|  .}'.ヘ    ''  ./     \__________________
.;ill;;:\::::::::::::::::;ノノl} ィ|、./:ー-`=‐-、、ノ
iilllllli;;:::`:‐-‐'":;ノ  │丶=‐-、,,_`l, ,.へ
llllllllllllii;;,,___;;;iill|||( `Д´) \ー=、7^ヾ'‐-、、
||||||||||||||||||||j'::::::U>>1U‐"、:::::\..::/   \  `ヽ
             U U


99 :774ワット発電中さん:2005/06/11(土) 01:13:45 ID:1xxcpzJm
個別部品としての BJT は「もういらなくね?」という話だと
思い込んでいました。これはていへんしつれいいたしましだ。

100 :774ワット発電中さん:2005/06/14(火) 23:39:07 ID:41HX4s3u
A1015GRとC1815GRのhFEを計ってみました。
hFEを合わせるのは大変なんですね。同じ袋の中で値が
10%以上外れているのが3-4%しかありませんでした。
そもそもA(230)とC(290)で中心の値が60もずれていると
合わせられないですよね。(そもそも安物テスターが悪いのか)
1袋1袋で+-5%以内で揃ったのが4組だけでした。
別袋のC1815YとA1015GRで合う物があるのですが、
ランク違いでもhFEが揃えば良いのでしょうか?

101 :経験者:2005/06/14(火) 23:58:18 ID:DNs2ApUi
>>hFEを合わせるのは大変なんですね。同じ袋の中で値が
>>10%以上外れているのが3-4%しかありませんでした。

どうでもいいけど、その国語へんだろ。www


102 :魚チョコ:2005/06/15(水) 00:21:16 ID:ErW2Z5oN
>>100 (そもそも安物テスターが悪いのか)

テスターのhFE測定機能を使って±5%以内の測定が出来ると思えん。
いや、VBEとかhFEの測定ってめんどうなんだわ。テスターのあれは信用ならないし。チョランズィスタを指でつまむと体温であったまって針がぐいぐい動いちゃうし。
チョランズィスタのピソに合わせたコネクタ用意しといてピソセットで嵌めるしかない。
んでもって測定精度あげようと、定電流の測定回路組んだら、インピーダンスが高かったので盛大に発振したおぼえがあるわ。


103 :774ワット発電中さん:2005/06/15(水) 00:29:11 ID:Ebf2A5uI
>>75
デジタル信号のレベル変換には2SK679Aなんぞが便利。
面倒なベース抵抗も省略できるし。

同じように使えるMOSFET、他に何ぞあるかね?

>>100
5.1kΩ±5%の抵抗の中から5kΩのものを選別しようとする話を思い出した。
(抵抗値は違ったかもしれんが)
ほとんどが±1%以下だったので失敗したのだとか。

104 :魚チョコ:2005/06/15(水) 00:45:44 ID:ErW2Z5oN
>>103
>>100によると、2SA1015-GRと2SC1815-GRで中心値が60(約20%)ずれてたそうだ。昔の誤差帯のない抵抗器の程度だと思った。

>>100に追加レス
hFEを±5%以内に合わせるなんて、バイアス電流のキャンセルくらいしか思いつかないが、どんな用途なんですかね、そのペア。
どうせhFEなんて1℃につき1%くらい変わっちゃうので、両トランズィスタの温度差を±5℃以内に保たなきゃ意味ないやね。


105 :774ワット発電中さん:2005/06/15(水) 08:20:45 ID:vNWep7WK
>>101 は読解力のないアフォで桶?

106 :774ワット発電中さん:2005/06/15(水) 10:39:24 ID:U2+ZAgo3
>>105
オイラにもよく分からないんだけど。

107 :774ワット発電中さん:2005/06/15(水) 11:37:13 ID:sfUHmKVy
>>100
合わなくて当然だと思いますよ。GR は 200-400 ですから。
私なら 3-4%?の外れた物を外して、残りの95%を使いますが。
考え方の違いで95%揃っているのだから良いと思いますが。


108 :774ワット発電中さん:2005/06/15(水) 14:56:04 ID:0gKdh2ou
>>107
>>100 は、hFEのそろったコンプリメンタリペアを
取り出したいというのが目的だろ?
GR品の200側の3-4%品を Y品と組み合わせて
コンプリメンタリペアを組んでいいのかと問うているのでは?



109 :774ワット発電中さん:2005/06/16(木) 01:19:04 ID:qCoS3O9o
なんかTRのhFEで不毛な努力の話をしてる香具師がいる。
さてはオーディオオタだな。

漏れが昔、ランク分けの実力を探ろうと
1815の200個袋のhFEの分布を計測してみた時には
同じ袋の中に数ロットのものが混ざっているのか、
特定の代表値を中心にした狭い集合が2,3個と、
どの集合にも入らないやつが何個かいたと記憶。
決してランク分けの中央値を中心にばらついている訳ではない。
セラコン500個袋も似たような感じ。
カーボン抵抗100個袋は確かに実力1%程度。

GRとかYとかも設計じゃなくて、ロットごとの出たとこ勝負でしょ?
詳しい人居たら教えて。


>>102
テスタでも相対誤差という意味ではイイ線いけると思うよ。
温度については長時間室温に放置後、
テスタから線引き出して、ICクリップで挟めば良い。

110 :774ワット発電中さん:2005/06/16(木) 08:14:44 ID:asDJUkaV
>オーディオオタだな。

なんか真空管のペアチューブからの類推で、hFE や Gm まで合わせなけりゃいけない
と思い込んでいるヲタは珍しくないみたいだね。
昔のアナログ IC 回路なんて横方向 PNP トランジスターを使っていたから、どうやって
も特性を合わせるのは無理。そこで、合わせなくてもちゃんと動く回路を工夫したもん
だけどな。知らねーとは思うが。

111 :774ワット発電中さん:2005/06/16(木) 18:17:40 ID:RGZGf0jq
昔のSP駆動用ICの最終段は準コンだったな。今でもそうか?

112 :774ワット発電中さん:2005/06/16(木) 21:32:20 ID:kSIEntXU
バイポーラモノリシック IC は準コンプリメンタリーでしょう。ハイブリッド
IC の中には純コンプリメンタリーのものもあったと記憶しています。

113 :774ワット発電中さん:2005/06/16(木) 21:47:21 ID:kSIEntXU
>真空管のペアチューブからの類推で・・
真空管の P-P 出力にはおそらく必ず OPT を使います。P-P 用の OPT はアイドル電流
の偏差制限があるので、また出力振幅を揃えたいのでペアチューブが欲しくなるわけです。

ところがトランジスターは OPT を使わないのが普通なので、ダーリントン接続
(inverted Darlington でも可) で利得を揃えさえすれば、あとは温度補償付き
アイドル電流調整回路 (バイアス回路) でこと足りてしまうわけです。

ところで >>100 さんが言っている Tr の品種から見て電力出力段とは思えません。
なぜ NPN - PNP で hFE を揃える必要があるのか、不思議でしょうがありません。

114 :774ワット発電中さん:2005/06/16(木) 21:56:33 ID:qCoS3O9o
NJM2076って低電圧ヘッドフォンアンプは外付けPNPを使うっぽい
ttp://www.njr.co.jp/pdf/dj/dj05010.pdf
コンプリメンタリエミッタフォロワじゃないけど。


115 :113:2005/06/16(木) 21:59:08 ID:kSIEntXU
あっ、もしかして「ダイアモンド回路」あたりを考えていらっしゃるのでしょうか。
hFE には温度依存性・コレクター電圧依存性があるので、また NPN, PNP ではその
依存性の程度が微妙に異なるので、10% 〜 20% くらい差があっても大勢に影響ない
ような気もします。もちろん歪率 -100dB とかを狙っていらっしゃるなら話は別ですが。
(それにしては使う Tr が安物過ぎるような。)

116 :774ワット発電中さん:2005/06/16(木) 22:11:32 ID:kSIEntXU
>>114
NJM 2076 は低電圧動作 (1.0V min) という要求性能を満足するために、外付けの
PNP Tr を使うことにしたのだと思います。おそらく inverted Darlington 純コンプリ
メンタリーでもなく、出力段に利得を持たせる回路でしょう。そうすれば
出力電圧振幅 = 電源電圧 − 200mV くらいまでは可能になりますから。

117 :774ワット発電中さん:2005/06/16(木) 23:07:07 ID:Nrjg9pgX
>>111-112
ほー、そうなんですか。

118 :109:2005/06/16(木) 23:13:57 ID:qCoS3O9o
あ、テスタでのhFE測定、
PNPとNPNという意味では、相対精度もとれてないかも。
ですね、すいません。

NJM2076については、たぶん116の言うとおり。

119 :魚チョコ:2005/06/16(木) 23:14:26 ID:+scGdzLr
>>115  (それにしては使う Tr が安物過ぎるような。)
 2SA1015/2SC1815 は安いんだがhFEリニアリティがいいよねー。カタログではほとんど直線ぢゃないか。
 ……て、いまあらためてカタログPDF見てみたんだが、こりゃアヤシイような気もしてきた。誰か測ってみた奴いない? ミ ゚ д゚ミ

120 :109:2005/06/17(金) 00:06:35 ID:rgCgRyWx
>>119
ほかの東芝のTRについては正直っぽい特性が載ってるのを見ると、
1815のデータシートを信じて良いんだか、どうなんだか、、、、。
今週末やってみようかな。

121 :774ワット発電中さん:2005/06/17(金) 00:09:12 ID:fzyxCOE+
>>109 GRとかYとかも設計じゃなくて、ロットごとの出たとこ勝負でしょ? 詳しい人居たら教えて。

昔トランジスタ農業という言葉がありました。まあ作ってみて、出来たものを測って
ランクを決める。農産物や鶏卵と同じ。
露光に使うマスクは全部同じなんです。今ではかなり制御できるようになっているとは思いますが。
もっとも CPU のクロックスピードの最速ランクなんかは、今でも農産物方式だと聞いたことがあります。

>>108 >>100 ・・GR と Y でコンプリメンタリペアを組んでいいのかと問うているのでは?
前記のような事情ですから、いっこうにかまいません。

122 :109:2005/06/17(金) 21:37:29 ID:rgCgRyWx
>>121
「トランジスタ農業」いい響きですね。

半導体産業には小さい頃から憧れつつも、
実際に作る立場に立つよりは
たぶん使う方が好きなので機器設計やってるけど、
ベランダ園芸でトランジスタが作れたりすると楽しそう。
真空管ぐらいなら趣味でも作れるかな。
点接触型や成長型なら、個人で作れる可能性はあるかな。
特に価値のあるものではないですけどね。

123 :774ワット発電中さん:2005/06/17(金) 23:07:53 ID:/gtVoD5p
ttp://tmp5.2ch.net/test/read.cgi/tubo/1117805574/
386 名前:218-251-83-4.eonet.ne.jp[sage] 投稿日:2005/06/17(金) 21:56:34 ID:98MoTNf4
>>351
P=NaCV^2f+NtIlV

アフォだねえwfが上がればcが下がるんだよ。低脳君。

124 :774ワット発電中さん:2005/06/18(土) 18:27:09 ID:mt+VWTd5
ゲゲッ
ドランジスタが増えすぎた。
農場だな。酪農か・・・羊・・・どうしよう
8袋と格闘中


125 :774ワット発電中さん:2005/06/18(土) 19:56:43 ID:VTnYJTte
トランジスタもFETも種類多すぎ。
せいぜい5種類ぐらいにしてくれ。

126 :魚チョコ:2005/06/18(土) 20:41:09 ID:lT3wEOc+
>>125
ここみて涙してくれい

http://lamson.ftp4me.com/LAMSON%20ALL%20PARTS%20PICTURE/TRANSISTOR/page_01.htm


127 :774ワット発電中さん:2005/06/18(土) 21:13:24 ID:hjixCvb4
たしかに種類増えすぎだけど、5種類は少なすぎ。

電力用・低周波・高周波・Etcで足りない。

128 :774ワット発電中さん:2005/06/19(日) 03:24:06 ID:5+9C+Aty
一般用・高周波用・低雑音用・高耐圧用・中電力用・高電力用。
あれま、6種類になりました。

129 :774ワット発電中さん:2005/06/19(日) 04:18:57 ID:5+9C+Aty
>>128
「低雑音用」っていうのは変。これを除けば5種類

130 :LightCone ◆sSJBc30S5w :2005/06/19(日) 09:57:29 ID:ayyxpWl8
>>129
高周波でかつ電力増幅もできるとか色々あるので、凄い量になる。

ON抵抗が低い方がいい、OFF抵抗が高い方がいい、高速な方がいい、
高速と言っても遅延が少ないことが必要か、増幅率が高周波領域でも
大きいことが必要なのか、あるいは、スイッチング動作が早いほうが
いいか、色々要求が違う。

あと、雑音の大きさも色々ある。

131 :魚チョコ:2005/06/19(日) 10:50:23 ID:Zq5YoHeA
なかみ同じで形だけちがうもんもたくさんあっからなあ…… ≡■_ミ゚仝 ゚ ミ コクインキエテルョ...

132 :774ワット発電中さん:2005/06/19(日) 14:03:41 ID:DRoGZ9DB
理想トランジスタが現れて他の型番は絶滅する…なんてことはあるわけないか
あっても使いづらいだろうな、ベース端子を指で触れただけで電源をふっとばしたり、
ゲイン高めにとり過ぎてミリ波帯で発振したり、
電源落としたと思っていてもキャパシタの残留電荷で延々と動作し続けたり、
昔のOPアンプなみに使いにくくなりそう。

133 :LightCone ◆sSJBc30S5w :2005/06/19(日) 22:31:40 ID:ayyxpWl8
>>132
アハハ。

でもまあ、出力側に抵抗入れて使うから電源吹っ飛ばすことはないと
思いまっせ。

逆に言えば、抵抗入れなければ、今のトランジスタ類でも電源吹っ飛ばせ
まっせ。

トランジスタ類だけ理想化されて、導線には浮遊容量が存在した場合で
も導線に現実的な抵抗があるならそこで損失が発生してしばし後に放電
されるから大丈夫だと思うけど。

発振についてはどうかな。軽く考える程度では大丈夫だと思うけど。

134 :774ワット発電中さん:2005/06/19(日) 23:45:54 ID:g/Ww3cKV
>>133
アフォですか?

135 :132:2005/06/19(日) 23:57:17 ID:DRoGZ9DB
>>133 軽い冗談のつもりです hi

それはそうと、スレ違いですが組み込み用OSでいいネタでもありましたらぜひともご披露くださいませ。

>>134 これこれ、彼はその方面ではかなりなレベルの方ですよ

136 :LightCone ◆sSJBc30S5w :2005/06/20(月) 00:51:49 ID:KWzHS1d2
意味分かりますよね。理想トランジスタであっても、ON抵抗が0になれども、
電流が無限大になったりすることはないということで、普通、出力側に
抵抗を入れて使うので、電源に過大電流が流れたりすることはないと
いうことですね。当たり前ですが。

137 :魚チョコ:2005/06/20(月) 10:28:33 ID:cBONLWp+
理想Tr、hFE=∞ってことはないよね? そうだったら、やたら使いにくいようなきもするし、たんにgmのおおきいFETのようにもおもえる。そこらへんどうなんだろ ミ゚д ゚ ?ミ

138 :LightCone ◆sSJBc30S5w :2005/06/20(月) 11:34:30 ID:KWzHS1d2
>>137
hFE=∞なら、負帰還が前提になりまんな。

少なくとも、普通のトランジスタとは違う素子になってしまいそう。

139 :774ワット発電中さん:2005/06/20(月) 13:18:25 ID:7M0vSzbs
>hFE=∞
コンデンサマイクとかの信号増幅やりにくそう・・・。

140 :774ワット発電中さん:2005/06/20(月) 13:56:43 ID:GZpNeol4
便宜上∞と考えられ、しかし実際は有限、っていう微妙なところが実用的
なのかな?

141 :774ワット発電中さん:2005/06/20(月) 21:41:27 ID:MUM5BTXN
hFEが3000以上あるスーパーβトランジスタの2SC3113を
1000個入り一袋を\1000でゲット!
こいつの注目すべき特性はNFが全トランジスタのなかで最低だってことだ。
こいつと定電流ダイオードを組み合わせてnVオーダーの信号を増幅できるアンプを組んだことがある。
特に困ったのは電解キャパシタが全く使えないこと、だからフィルムキャパシタをパラって代用したんだけど、
おかげでアンプの重量は軽く5kgを超えてしまった orz ちなみにキャパシタ以外の重量は70gちょっとだった。
これはもう笑うしかなかった

142 :774ワット発電中さん:2005/06/21(火) 00:05:20 ID:RB85NELR
hFE=∞否定派が多いが、出来たらすごいものが出来ると思う。
何かは分からんがすごいものが。
片方向にしか電流流れないという、凡人にはなんでもないような性質を応用して、
コンピュータ作った人が居るのだから。

143 :774ワット発電中さん:2005/06/21(火) 04:38:22 ID:J2BE7o41
hFE=∞
たしかに凄いモノができそうだが、凄いモノ以外はできそうにない予感。

144 :LightCone ◆sSJBc30S5w :2005/06/21(火) 07:50:38 ID:TAm7XrFB
印象として、それは電流帰還形オペアンプの理想形なのではないかと
感じますが。

145 :774ワット発電中さん:2005/06/21(火) 09:07:21 ID:fWNM95/X
> hFE=∞
MOSFET のスレッショルド電圧が 0.6V くらいで gm は好きなだけ、というのを
想像すればいいのでは?

146 :774ワット発電中さん:2005/06/21(火) 22:13:24 ID:Zk5/uBdx
理想トランジスタがあるとすると、
リバースhFEは0? ∞?
あと、ベースコレクタ間もダイオードとして働かなかったりするのかな?
それはないのかな。

147 :LightCone ◆sSJBc30S5w :2005/06/22(水) 13:19:58 ID:YiaqYGtz
逆方向伝達特性とか、Sパラメータの反射係数とかのことですか?

148 :774ワット発電中さん:2005/06/22(水) 18:37:59 ID:Zm/nN3Ic
hFE って言うんだから直流の話でしょう。たぶんエミッターとコレクターを
入れ換えた場合の話かしらん。 (あと、ベースコレクタ間もダイオード・・・
なんて、どうでもいいような気がします。)

149 :774ワット発電中さん:2005/06/22(水) 22:18:56 ID:Sm0wCwJA
>>147
同じソフト屋としてあなたのことは尊敬するが…
シミュレータでは分からないことが多すぎますな。

150 :774ワット発電中さん:2005/06/23(木) 20:22:22 ID:9V6eD3aY
現実 古い型を探している。

151 :LightCone ◆sSJBc30S5w :2005/06/23(木) 20:50:51 ID:BLSXPp1B
>>149]
SPICE系は、バイポーラ・トランジスタのシミュレーションは使える範囲に
あると思いますが、どうやらMOS FET系は変なような気がします。

色々実験してみましたが、なんか変な気がするんです。

「NEC化合物」の高速FETのパラメータでも、AWR Microwave Office用には
たいていの場合ありますが、SPICE用にはほとんどないようです。

これも、適合するようなSPICEパラメータを作るのを断念している証拠
なのかもしれません。

152 :LightCone ◆sSJBc30S5w :2005/06/23(木) 21:08:27 ID:BLSXPp1B
あー、また、いいかげんなこと書いてしまった。
AWR用のデータは、Sパラメータだけみたいです。

Sパラメータだけで何もかもシミュレーションできるのかな。

そういうものだろうか?

153 :LightCone ◆sSJBc30S5w :2005/06/23(木) 21:17:33 ID:BLSXPp1B
あー、振幅が大きいときと小さいときで、増幅率も違うし、そういう
ところはSパラメータでは表せないはずですよね。Sパラメータは、
特定の周波数について固定すれば線形な素子しか表せないですからね。

ある敷居電圧を境に出力が立ち上がるような特性は、Sパラメータで
は表せないですよね。

あと、蓄積電荷とかは、以前にどれくらいの時間ONにしたかなどにも
依存しそうだし。

154 :774ワット発電中さん:2005/06/25(土) 17:36:43 ID:76QCgQhn
>>151-153
その手のFETはLNAで使うので歪みがどうのこうの、って議論はほぼしないです。
よって設計もSパラメータだけで出来てしまうし、デバイスのまわりの分布定数回路に
周波数分散等があるからそもそもタイムドメインでのモデリングは手間がかかりすぎなんですよ。
たかがプリント基板のパターンですら合わないし…(ってフィルタにしてるんだから
当然ですが)。

#パワーアンプ屋とミキサーの研究をしている人以外はSパラ&線形解析でやっていける、と
#言ってみるテスト。実際てい倍器ですらSパラと簡単な手計算だけで設計やってピタリと出来てるし。

155 :774ワット発電中さん:2005/06/25(土) 22:11:22 ID:hPSm3L8C
高周波パワーアンプ…
俺の一番苦手な領域だ、下手すると命を縮めそうな予感がする

156 :LightCone ◆sSJBc30S5w :2005/06/26(日) 00:03:31 ID:lSIST4Fa
>>154
最新のデジタル・オシロスコープを作る場合、
サンプルホールド回路の、スイッチング波形が美しくないと
よくない場合で、その波形は実験的には現存のオシロスコープでも
見れないと思うんですが、そういう場合、どうやって解析するのか
な、と。

それ自体の波形を見るんじゃなくて、回路を実際に働かせたときの
測定結果がよくなるように回路定数を調整しているのかもしれませ
んが。

157 :154:2005/06/26(日) 17:04:20 ID:ILvdM3aL
>>156
あ、俺アナログ高周波回路屋でそういうSパラメータと絶対最大定格しか出てない石で
LNAとか設計してるので全然不思議に思ってなかったですね。最大パワー20dBm以下が
基本だから(笑)。

で、超高速サンプルホールド回路の評価は繰り返し波形を入れてデジタイジングオシロで
観測すね。デジタイジングオシロで40GHzあたりまでは見たことあるから(もっと繰り返し
周波数が高い機械があるのではないかと)それを使って繰り返し波形を観測すれば良い
でしょう。単発波形をストレージするオシロ(デジタルストレージ)だと数GHzが限界ですよね。

古いデジタイジングオシロはダイオードサンプラ使ってますね。サンプルホールド回路を
FETで設計するなら結局ギルバートセルの設計になってしまうからICでないと困難で
メーカー製ディスクリートの出番は無し、SPICEモデルも提供不要、となるのが昨今の
状況だと思いますよ。ちなみにpHEMTやGaAsFET、Fabのスタンダードプロセスに関しては
非線形パラメータやSPICEモデルの提供サービスがあります。光通信関係のドライバ
アンプとか超高速サンプルホールド回路はこれで特注設計できますよ〜(笑)

それからPA用の石(LDMOSFETとかレーダー用GaAsFETとか)はデバイスメーカが
非線形パラメータを提供してます。ただ石が強烈に高価なのでサンプルホールド回路は
ばかばかしくて出来ませんが(笑)。


結局Sパラメータしか提供されないデバイスでデジタル回路を組むのは非現実的
って事で納得していただければ良いんですが…ダメ?

158 :LightCone ◆sSJBc30S5w :2005/06/26(日) 18:51:21 ID:lSIST4Fa
サンプル・ホールド回路を、ディスクリートのBJTやnMOSで作れるか
試してみてます。

それなりに出来てはいますが、1(GS/s)出せているのは、BJTのみで、
MOS-FETは、高速なものがSPICEデータが見つからないので今のところ
10(MS/s)位までしか上手く行ってません:

http://www.nowsmartsoft.or.tv/images/SampleHold-IdealMOS.png
http://www.nowsmartsoft.or.tv/images/SampleHold-2SK2980-Parallel.png
http://www.nowsmartsoft.or.tv/images/SampleHold-NEC-BJT-Parallel.png
http://www.nowsmartsoft.or.tv/images/SampleHold-BJT-Down.png

最近の話題はココ↓:
http://pc8.2ch.net/test/read.cgi/os/1107608053/l50

159 :LightCone ◆sSJBc30S5w :2005/06/26(日) 19:05:19 ID:lSIST4Fa
>>157
質問させてください。
・ダイオード・サンプラーとは、どういうものでしょう?
・ギルバート・セルとは、どういうものでしょう?
・非線形パラメータが提供されているLDMOSFETやGaAsFETの具体例
を教えていただけませんか。

160 :LightCone ◆sSJBc30S5w :2005/06/26(日) 21:56:45 ID:lSIST4Fa
ギルバート・セルは、トランジスタで組む、乗算回路(MIXER回路)
ということのようですね。これについては、何を行う回路かは
分かりました。

サンプル&ホールド回路は、乗算機を使わずに、アナログ・スイッチ
でも実現可能です。実際>>158での例は、そういう原理です。

ちなみに、MIXER用の乗算機は、交流的な動作を目的にしているので、
直流的なスイッチングには向いてないかもしれませんが。0をかけると
本当に出力が0になってくれるかどうか怪しそうですから。

161 :LightCone ◆sSJBc30S5w :2005/06/26(日) 21:59:06 ID:lSIST4Fa
というより、ハイインピーダンスにしないといけないので、乗算機では
無理だと思います。

162 :154:2005/06/27(月) 09:23:57 ID:veee+DBt
>>159
・ダイオード・サンプラーとは、どういうものでしょう?

ダイオードをスイッチング素子として使用したサンプル回路です。バイポーラやFETより
高速にスイッチング出来るのですが、何しろ端子が2つしか無いですからどうやって制御
信号と観測信号を合成・分離するかが難しかったり…実は高周波ミキサの応用例だったり
しまして、正弦波の代わりにサンプリングパルスを入れるんです。


・ギルバート・セルとは、どういうものでしょう?

アナログ乗算回路として有名ですが、これの下側の差動増幅セルをスイッチング動作させて
出力側にしかるべきレベル変換アンプとホールドコンデンサを入れると高速なS/H動作が
可能なんです。差動ペアに加える電圧にある程度以上の電圧差があるとIc=0、つまりスイッチング動作
します。アナログ乗算回路として使う場合はIcがカットオフしないような領域で使うわけです。

LightCone氏の研究している回路と波形を拝見しましたが、Tr等をスイッチングするのに差動増幅回路に
なっていないので改良する余地は大きいかと。ちなみにギルバートセルはECLのAND回路の等価回路と
ほぼ一緒だったはず。S/Hに応用するなら下の差動ペアに差動のサンプルクロックを、上に乗っている
差動ペアはアナログ増幅回路として使います。それと高速動作ならNPNだけで揃えて組むようにした方が
絶対良いですよ。

S/Hはやったこと無いけどアナログ高周波用途でPIN Di SWのドライバを設計したとき、C1815/A1015
を使って差動増幅回路でスイッチングさせて、速度100nS以下をクリアしたりとかやったことがあります
(+/-の両方の電圧を出力するためにコンプリペアになってしまった)。"差動増幅回路=ECL"ではない、
普通のスイッチング回路ではスピードアップコンデンサを付けても約500nS以下に短縮出来なかったの
ですが(笑)。ちなみに高速SW用Trなら普通にスピードアップコンデンサを付けてスイッチング
動作させて50nSぐらい出るんですけど、互換性とか入手性を考えると差動ペアの方が好みです。

#大手メーカの設計者で、半導体屋にいくらでも好き勝手言える立場なら高速SW用Trでもいいかなぁ(笑)。

ECLや、GaAs FETならSCL(ってあんまり言わないかな)の回路は超高速ロジック回路で良く
出てくるので、On Semi.あたりのECLのデータシートを眺めていると参考になると思いますよ。
ちなみにGaAsのMMICでは実験室レベルでは40GHzのFF(分周に使う)の例があったけど、
これもソース共通の差動増幅回路でした。記憶があやふやだけどS/HはソニーのECLの
データシートにあったような気が(間違ってたらごめんなさい)。


・非線形パラメータが提供されているLDMOSFETやGaAsFETの具体例
を教えていただけませんか。

LDMOSFETならこの辺。元祖の旧モトローラ提供の非線形パラメータ。EEsof-ADSやAPLAC,Microwave
Office,Ansoft等のファイルも提供されてます。これらはSPICEモデルの変形ですが、普通のSPICEには
入っていないのでライブラリのプログラミングが必要かな、と。
http://www.freescale.com/webapp/sps/site/homepage.jsp?nodeId=017520

GaAsFETは例えばこの辺。これも高周波シミュレータ向けのモデルでVgs-Id近似関数とかが
単なるSPICEモデルでは無いので使うの大変かも。
http://www.filtronic.co.uk/products.php?catID=1&productID=72

とは言えこういった石はハイパワー用=Idssが大きい(数A級)=ゲート容量が大きい、となって
GHz以上の周波数でスイッチングさせるには大きな電流を流せるドライバ回路が必要になり、結局
実用化できないんじゃないかなと思います。

163 :LightCone ◆sSJBc30S5w :2005/06/27(月) 10:46:50 ID:5gErqXAo
>>162
すみませんでした。
ギルバート・セルは、差動増幅回路として用い、完全に出力をHiZに出来る
ということのようですね。本当に失礼なことを、、、。

差動増幅回路の高速性とかもよく知りませんでしたし、ECLとかも
恥ずかしながら余り勉強してません。


あと、IC内部では、CR値が下がり、寄生容量に対する充放電に必要な
時間が少なくて済むので、ディスクリート部品で組むより高速動作
が可能なのではないかと思っているのですが、実際はどうなのでしょう。


トランジスタも使い方によって速度が変わるようですが。
飽和領域と非飽和領域の違いもありますが、カレントミラー回路
などである電線の電流値を固定し、余った電流を出力とすると、
増幅率が非常に大きくなる。結果、高速な立ち上がりとなる。

そんな感じなのでしょうか。

164 :LightCone ◆sSJBc30S5w :2005/06/27(月) 11:01:06 ID:5gErqXAo
余りよくわかりませんが、この辺を見ても、ゲートアレイの遅延時間
が、条件によっては、35-43(ps)と、25(GHz)程度に相当してるようです:
http://www.semicon.toshiba.co.jp/prd/asic/lineup.html

多分、シリコンだと思うのですが、ディスクリート素子とは
雲泥の差があるように思えるのですが。

165 :154:2005/06/27(月) 12:48:32 ID:veee+DBt
>>163-164
>差動増幅回路の高速性とかもよく知りませんでしたし

まあそんなものですよね(笑)。S/H回路はアナログデジタルの境界領域で
良い参考書も無ければ記事も無いですし。ロジック回路で差動増幅を使う
ってのもICの中に隠蔽されて外からは分かり難いですから。ECL回路も、
もはや忘れ去られた技術になりつつあるみたいですし。


>あと、IC内部では、CR値が下がり、寄生容量に対する充放電に必要な
(以下略)

ビンゴ!。高速ロジック回路もGHzが見えてくるようになると、プリントパターンの
対GNDの寄生容量が馬鹿に出来なくて大変らしいです。
#アナログ高周波回路屋でホントに良かった、と思ってみたり(笑)。


>トランジスタも使い方によって速度が変わるようですが。
(以下略)

チョイ難しい話になりますが、飽和領域で使うとベース領域のキャリアが
過剰になります。バイポーラTrはことごとくoffの方が時間がかかるのですが、
このキャリアが再結合でどこかに消えて無くなるまでコレクタ電流が流れる
からなんです。この問題が無いFETはスイッチング動作させた場合にon/offの
時間がそれ程変わらないと言う仕掛けです。高速スイッチング用のバイポーラ
Trは、この再結合にかかる時間を短縮するためにベース領域にAuをドープ
して結合中心を作って…とココからは半導体物性で実は良く判らないのですが(笑)。

#物性板なら詳しい人が居るかも。

では飽和領域で使う=スイッチング動作させる場合に、ベース領域に過剰な
キャリアを注入しなければ良いって事で、B-C間にショットキダイオードを繋ぐと
過剰なキャリア注入が防げます。これがTTLのショットキタイプ(SやLSシリーズ)です。

もう一つ、B-E間に逆バイアスをかけると過剰キャリアを素早く抜くことが可能で、
トランスでベースをドライブするためにパルストランスがあります。一方デジタル
回路向けなのがECL=エミッタカップルドロジック〜差動増幅回路で、こちらは
差動の信号を突っ込むとエミッタ電位を中心にベース電位が上下に振れるから
逆バイアスが可能、と言うわけです。


このあたりの回路技術は上にも書いたようにロストテクノロジー化しつつあるようで、
そもそもIC内部の微細化による高速化の方が有用だと考えられてるわけです。
さらにIC内部ならTrいくつ使っても大差ないけどディスクリートでは重大な問題に
なるし、部品もICの内部から見ると絶望的に大きいし…
ちょうど最近の組み込みプログラムは可読性優先、メモリ空間には余裕があることが
多いので速度が出ないならクロック上げようか、なんてやってるのとよく似てますね。

あとゲートアレイの遅延時間は、結局寄生Cをチャージ/ディスチャージする時間
で制約されているのでディスクリートと雲泥の差があるわけで、仮に寄生Cが一切
無かったらそれ程は違わないですよ。逆にゲートアレイの出力に重たい容量性負荷を
ぶら下げると大変なことに((((;゜д゜)))

166 :LightCone ◆sSJBc30S5w :2005/06/27(月) 15:29:17 ID:5gErqXAo
>>165
>この問題が無いFETはスイッチング動作させた場合にon/offの
>時間がそれ程変わらないと言う仕掛けです。

実際にシミュレートしてみると、MOSの直流的な性質であるところの
「ゲートに電流が流れない」という性質は、「交流的には嘘」という
ことが分かってきました。

高周波になると、ゲートの容量のせいでかなりゲートに電流が流れて
しまいませんか。

そして電圧増幅素子という性質は維持されたままなので、かなり
大きな電流がゲートに流れているのに、出力はなかなか変化して
くれない、という困ったことがありました。

高周波領域だと、BJTの方が扱いやすいような気もします。

しかし、実際の実物のオシロスコープ波形を見ると、MOSの方がスイッチング
波形は美しいようです。あれは、ある程度の周波数までの話なんでしょうか。

実際はどうなんでしょう。

167 :LightCone ◆sSJBc30S5w :2005/06/27(月) 17:15:49 ID:5gErqXAo
差動増幅回路をスイッチングに使うのだとすれば、負帰還をかける必要
があるんでしょうか。

最初、余り深く考えずにシミュレートしてみると、増幅率が大きすぎたり
小さすぎたりして、どんなに回路定数を調整しても、入力信号と出力信号
が似ても似つかないカーブになったままで、上手くいきませんでした。

その対策として、今度は、「マイナス入力」に出力を入れて、
オペアンプのいわゆる「イマジナリ・ショート」状態を作って
上手く回路定数を選ぶと、スイッチONに相当する時に、出力=入力
を、ほぼ実現することが出来るようになりました。

しかし、オフセット電圧のようなものがありますし、回路定数を微妙に
選んでやらないと、コレクタ電圧が電源電圧の範囲から超えてしまいがち
です。原因は、入力が中央の時でも、常にベース電流が流れているように
なってしまっているからです。

余り詳しくないのですが、多分、レベル・シフタという回路を付けてやる
必要がありそうな気がします。

というより、結局これはオペアンプそのものになってしまっています。

168 :LightCone ◆sSJBc30S5w :2005/06/27(月) 17:16:23 ID:5gErqXAo
やり方に間違いがあるんでしょうか・・・。

169 :LightCone ◆sSJBc30S5w :2005/06/27(月) 17:20:39 ID:5gErqXAo
これが実験中の回路です:
http://www.nowsmartsoft.or.tv/images/GilbertCellTest.png

結構当てずっぽうな回路ですが、どうでしょう。

170 :LightCone ◆sSJBc30S5w :2005/06/27(月) 17:27:56 ID:5gErqXAo
左下のパルス発生器の注釈は間違っていて、正しくは、
10MHz, Duty 50%, 0-5Vです。それに繋がっているインバータ
は、正転出力と反転出力を持っていて、出力は0-5Vです。

171 :154:2005/06/27(月) 17:53:29 ID:veee+DBt
>>166-170
えーと、MOSFETのゲート容量は電圧依存性が無いので、周波数に依らず
「同じ電荷量をチャージ/ディスチャージ」出来ればOKです。

i=dQ/dtですから、周波数が上がる=時間が短くなる→電流が増えるなのです。

もちろん回路屋から見れば「ゲートに電流が流れないのは交流では嘘」って
言い方も有りですが、半導体の中を考えた場合は「それならゲート長を
短くすればゲート容量も減るでしょう?」ってことで、行き着く先はICと
なるわけですね。

あと同じ事はホールドコンデンサにも言えます。超高速のS/H回路と低速の
S/H回路ではコンデンサの適正値も違ってきます。



ところで実際の実物のオシロスコープ波形、とはシミュレーションではなくて
ブレッドボードモデルですか? BJTの方が波形が汚いと言いますが、実物が
シミュレーション回路に近い構成だとしたら、まあそうなんじゃないかなという
気がします。以下感想。

#何か関連ページのNWSOS云々のスレは俺の領域じゃないみたいで全部読んで
#ません。ソフトウェア工学はワケワカランなので。もしそのあたりに何か他の
#例なり実験結果なりあったらごめんなさい。

(1)BJTはキャリア(NPNなら電子)をエミッタ→コレクタへ一方的に注入する
 方向でないとまともに動作しない。オーディオ帯域では逆方向も使って
 可変抵抗素子として使うこともあるけど、高速な回路ではNG。多分
 ベース領域厚みと周波数の上限に相関があると思う。
(2)シミュレーションの回路では、BJT/MOSFET共に双方向にキャリアが
 移動できるスイッチング素子として使われているが、上記(1)故にBJTの
 回路で波形がおかしいのは当然。MOSFETはCgs/Cgdが非対称で構わない
 なら割と高い周波数まで双方向にキャリアを流すことが出来る。
(3)S/H回路をドライブする事を考えると、MOSの場合K2980のようなゲート長の
 長い大きな石では数MHzが限界。入力容量155pFをGHz付近でドライブしよう
 なんて無茶。実は入力容量数pFでもヤバイ。1nSec内に1pFをチャージすると
 して、Vt=2.5Vとしても2.5mA、これだと数十〜百MHzでサンプルが妥当かと。
 でもこんな小さな石があるか、と言うと…俺の知る範囲にはないような気が。
(4)S/H回路のホールドコンデンサの容量も問題で、理想スイッチによる開閉と
 しても10pFをチャージする回路の最大電流容量が10mAの場合、1Vで1nSかかる
 計算。現実の回路ではとても高速動作は出来ないんじゃないかなと。
 シミュレーションは理想電源だから良い波形が出ると思いますけど…。
(5)キャパシタをチャージ/ディスチャージする時には必ず上下アームに能動素子を
 入れてやる必要あり。片方が抵抗だと、抵抗の側がRCの時定数で速度制約されます。
 キャパシタのチャージ/ディスチャージはスイッチング用素子のドライブも、ホールド
 コンデンサも両方対象になります。となるとコンプリメンタリペアが必要になるのですが
 Pch MOSやPNP TrはGHz超えると速度低下要因になります。
 一つこれを回避する良い手段として、差動出力を使うという手があります。信号を
 常に差動で使えばアームの片側がRでも反転側は能動素子でドライブされるので
 RCによる制約から逃れられるわけです。


172 :154:2005/06/27(月) 18:01:18 ID:veee+DBt
…長すぎて弾かれた(笑)。


ってことで少し落ち着いて研究してみると良いと思いますよ。ちょっとググって見ましたが
ttp://www.national.com/JPN/an/AN/AN-775.pdf
ttp://www.dsl.hiroshima-u.ac.jp/presen03/fujikawa.pdf
あたりは参考になるんじゃないでしょうか。


#個人的にはギルバートセルを使ってスイッチングするClosed Loop構成に行き着く
#のが正しいんじゃないかなぁ、と。NSのAN-775のfig.9みたいな回路。デバイスは
#BJTが良いと思いますが…実際にはS/H回路やってないんで判らないんですよね。
#あくまでアナログ高周波屋の感想、と言うことで話し半分以下でレス読んで下さい。

さてシミュレーションの回路ですが、まず下のペアに入れるパルスが0〜5Vなら、相手の
TrQ2は1/2の2.5Vにバイアスしてみて下さい。その上でQ1-Q4ペアのコレクタの電圧差を
観測するとスイッチングされた波形になるはずです。Q3,Q5は差動ペアを構成するための
捨て石(笑)なので、実は省略しても良いのですが安定に高速動作させるためには
必要になってきます。無いと入力インピーダンスが変動してしまい、波形が乱れると
思われます。実は今回のようなスイッチング動作では、一方のペアからは出力を
取り出せません。なにせ上に乗ったQ1-Q4ペアとQ3-Q5ペアをQ2-Q6ペアでon/off
しているわけですので。

利得が高すぎる場合はコレクタの負荷抵抗を下げると利得が下がりますが、
実用回路では負帰還をかけけることになるかと。

回路を考えるだけでも大変な時間が必要になるんじゃないかと思いますが…
これ、実はオペアンプ以上に複雑な回路になってます。Q3,5,6を省略すると
トランスコンダクタンスアンプ(LM13700とか、古いところではCA3080とか)の
心臓部になります。

以上、長文で申し訳ありませんが頑張って研究して下さい。

173 :LightCone ◆sSJBc30S5w :2005/06/27(月) 21:19:25 ID:5gErqXAo
そういう風にしてもやはり上手くいきません。負帰還は基本的に遅いので、
このような回路では私の直感では無理なんじゃないかと思うんです。
実際、波形をごらんいただくと分かるように、>>169にしても、
10MHzなのに全く問題にならないほど追従してくれません。実は、
入力電圧の振幅を僅かに大きくしても、これよりさらに酷くなります。
出力のコレクタ抵抗を大きくすると追従速度は基本的に上がりますが、
そうすると今度は、電圧が「割れ」ます。つまり、電源電圧の範囲
を超えてしまいます。


一方、以下のようなシンプルな回路だと、1GHzだしても非常に綺麗です:
http://www.nowsmartsoft.or.tv/images/SampleHold-NEC-3BJT-Parallel.png

これは、実際のNECの実在するBJTのSPICEデータを用いてシミュレーション
した結果です。

この回路のサンプリング周波数は、1GHzですが、インターリーブ方式で
並列動作させると、このままでも40GHz位ならば対応できるような
気がするんです。

このトランジスタは、現存する最高速度のトランジスタではありませんので
現実には、もっと綺麗な波形が出る可能性もあると思っています。

174 :LightCone ◆sSJBc30S5w :2005/06/27(月) 21:30:14 ID:5gErqXAo
メーカー製のS&H用のICは、調べた範囲内では、100(MS/s)程度でした。

それから比べると、>>173のリンク先の回路は、10倍の速度で動作しており、
そこそこ良い回路なのではないでしょうか。

また、大事なこととして、これは、ディスクリート部品でのシミュレート
結果なので、IC化すると、これより高速化できる可能性があることです。


>>172の一つ目のリンク先の回路は、オペアンプを使っていますね。
これだと追従が遅いので、単独のBJTで作ってある>>173には勝てない
と私は思います。

それから、>>172の二つ目のリンク先の回路は、コンデンサへの充電を
片方向でしか行っていません。

>>173の回路では、二つのトランジスタそれぞれで、逆方向にに電流が
流れるように組んであるので、両方向に電流が流れ、非常に効率よく
充電できます。また、放電サイクルが必要ありません。充電サイクルで
必要あらば、自動的に放電されます。


それから、>>158のリンク先の回路の中には、「直列タイプ」のものが
含まれていますが、その場合でも、BJTに逆方向に電流を流
したりはしておりません。BJTには、ショットキーダイオード
をい並列に付けてあり、電位が逆になった場合はそちらに流れ、トラン
ジスタ自体には流れません。

また、MOS-FETの場合は、逆方向に流すことは可能ですね。その場合、
寄生ダイオードや並列に接続したショットキーバリアダイオードと、
FET内部のチャネルとの両方に電流が流れますが、ソース電位より、
ゲート電位を高くしている場合は、Vds<0の場合においても、ON抵抗
となり、mオーム程度の導通状態になると思って設計してあります。

175 :LightCone ◆sSJBc30S5w :2005/06/27(月) 21:43:59 ID:5gErqXAo
>>172でご指摘頂いたように、TrQ2を2.5Vにバイアスした時のシミュレーション
結果は以下のようです:
http://www.nowsmartsoft.or.tv/images/GilbertCell2.png
http://www.nowsmartsoft.or.tv/images/GilbertCell3.png

ふたつあるのは、Q2のベースに対称なQ6と同じ10Ωの抵抗R17を
付けてあるかどうかの違いです。


ちょっとお手上げ状態です。

176 :LightCone ◆sSJBc30S5w :2005/06/27(月) 21:55:47 ID:5gErqXAo
余り良い回路ではありませんが、オペアンプとスイッチの組み合わせの
S&Hは、以下のようになってます:
http://www.nowsmartsoft.or.tv/images/SampleHold2.png
http://www.nowsmartsoft.or.tv/images/SampleHold3.png

これはこれで悪くはありませんが、オペアンプまで高速性が
求められるため、可能な限りは、>>173のような回路の方が
望ましいと考えられます。

177 :774ワット発電中さん:2005/06/28(火) 08:59:20 ID:id5k30UD
>>175
うーん、よく見てなかった所がいっぱいあった(笑)。ギルバートセル応用であってギルバートセルそのものでは
真っ当な動作はしませんよ。それからギルバートセルだとしても何か変な所もある。
・Q1,Q4のコレクタは+5Vに直結。他にはどこにもつなげないこと。
・R8,16はいらない気がする。何の役割なんだろうこれ…
・R5はバイアス電流を決める肝。100ohmあたりにして10mAぐらい流すようにすると良いかも。1mって
 1megの間違いかな? LTspiceも一般のと同じ記述方法のはずだと思うけど、これじゃスイッチングすら
 しないですよ。この抵抗はQ2/Q6を飽和で使うならコレクタ電位を決めるだけでなく、上に乗ってる
 差動ペアのエミッタ抵抗も兼ねます。ちなみにIC内部なら定電流回路を組むところ。シミュレーション
 では最初は定電流源にすると、R9,17の値が変でも割ときれいに動作するはずだから、そこから
 始めるのも手かも知れない。
・R9,17は10k ohmぐらい。もしかしたら4.7k ohmぐらいでも良いかも。あんまり飽和させると良くないけど、
 逆に飽和が足りないとQ1,4,3,5のエミッタ電位が上がって苦しい。2つ目の設計の肝。ある程度カットアンド
 トライしてみるしかないかな。Q2,Q6のコレクタ電流を観測して、きれいにon/offのシーソー動作しているか
 チェック。さらにコレクタ電圧が1V程度まで下がっていればOK、ダメならベース電流を増やす=R9,17を
 小さく。でもあまり大きいと過飽和してスイッチング速度が低下するので厄介なのだ。
・R12,13,10,11は不要。全部ショートして下さい。こんな所にフィードバック抵抗入れたら訳判らなくなるから。
・Q3のコレクタの負荷抵抗R2とQ5の負荷抵抗R3は大きすぎ。利得が高くなりすぎます。
 取りあえずオープンループで実験するなら50ohmぐらいでも大きいかもしれない。波形がサチるようなら
 ベース抵抗R1,4,6,7を10k ohmとか100k ohmとか大きくして逃げるしかないかな。
・観測信号のV2は2.5V程度の直流バイアスが必要です。Q2がonしたときのコレクタ電圧=Q1,Q4のエミッタ
 電圧だから、

…まあこれ、アナログ回路の中では難易度の割と高い分野なので設計が難しくて当然。いきなり
複雑な回路を組むのではなくて、Q2Q6のIcを高速にスイッチング出来るか、って所から入ると良いでしょう。
最後に実際に回路として製作することを念頭に置くので、どうしても高インピーダンスでドライブ可能な
電流スイッチ回路の実現が一番最初に必要なわけ。

 逆にシミュレーションだけで良ければ、そもそもQ1Q4のエミッタを共通にして方形波の定電流源で
ドライブすると、アンプを高速でon/off出来る様子が観測できるはずです。

 ちなみにこのギルバートセルのサンプラ回路、バッファアンプも兼ねているので既出のスイッチ回路より
圧倒的に複雑なのは当然であります。なにせサンプリングパルスの電圧ソースV4からの電流も0.2mA程度と
小さいし、観測信号のV2から見た入力インピーダンスも1k ohm程度で容量成分は充分無視可能。既出の
スイッチ回路は、サンプリングパルスのドライバ回路や観測信号のアナログバッファが別途必要ですから、
トータルでの複雑さはどうなるか考えると難しいですよ。

178 :LightCone ◆sSJBc30S5w :2005/06/28(火) 10:11:46 ID:Dno3Q03a
>>177
誰も成功してない独自提案の回路で、提案者も実験しておらず、
実際に試してみても不安定な結果、遅い結果、大きな波形の歪みを
伴う結果、中間部位で電源電圧を超えてしまうことによる破綻、
などなど思わしくない結果しか出てない現状では、他人が回路を
設計することは基本的に無理です。

しかも、素子が増えれば増えるほど、遅くなると言う当然の法則も
考え合わせると非常に実現は難しいと考えられます。

やはり、自信がお有りなら、ご自身でやって頂かないと難しいでしょう。

179 :774ワット発電中さん:2005/06/28(火) 18:04:02 ID:1nigNNv4
>>173
素朴な疑問で申し訳ないのだが、ご提案の回路の中には理想ダイオードが含まれており、
そのダイオードだけでS/Hを構成すればどのような周波数のにも対応できるのでないかと思われるが…
トランジスタは回路中ではむしろ「脇役」ではないでしょうか?

180 :LightCone ◆sSJBc30S5w :2005/06/28(火) 22:48:44 ID:Dno3Q03a
>>179
確かに理想ダイオードだけでもS&Hが出来るかも知れませんが、
>>173の回路に置いては、理想ダイオードがメインというわけ
ではありません。

スイッチが切れる瞬間にQ2がコンデンサから電流を吸い出すような
現象を防いでいるつもりです。

181 :LightCone ◆sSJBc30S5w :2005/06/28(火) 23:18:25 ID:Dno3Q03a
現実のダイオード(MBR745)に取り替えて試したところ、サンプリング
周波数は半分程度しか出なくなり、大分波形が汚くなりましたが、
500(MS/s)程度の速度のS&Hはシミュレートできます:
http://www.nowsmartsoft.or.tv/images/SampleHold-NEC-3BJT-Para2.png

182 :774ワット発電中さん:2005/06/29(水) 09:47:36 ID:AModHLr1
>>181
なるほど、それでは今度はトランジスタを理想トランジスタに換えてみてはいかがしょう? (やっと登場しましたね)
どちらが回路により大きな影響を与えているか分かるかも知れませんよ。

それと>>181の回路を-30〜+60℃の範囲で温度を変化させて解析してもらえないでしょうか?
なんとか8ビットA/Dコンバータの精度くらいは確保できればいいのですが…

183 :LightCone ◆sSJBc30S5w :2005/06/29(水) 09:55:56 ID:c7pTllk3
>>182
温度解析はやったことがないので、難しいです。

逆回復時間が短い(1nsレベル)の実際のダイオードでやるとどうなるか
興味深いです。

Fairchildにそういう高速なダイオードのSPICEモデルが大量にある
ようです。

184 :ダメ工員(夜勤):2005/06/29(水) 12:39:19 ID:KB7rxvY7
>>183
あなたほどの方がダイオードを利用したS/H回路をご存知ないとは驚きです。
下図は理想ダイオードを使ったS/H回路で適当なRCを選択することにより
例えば1000GS/sのサンプリングレートを得ることができます。
              ○ Vs
              │           Vs , Vs#はサンプリングパルス入力
              >              Vs=A のとき Vs#= −A
              >  R           Vs=−Aのとき Vs#=A
              >              ダイオードはすべて理想ダイオード
              │              R , C を変えることにより任意のレートでS/H可能
       ┌──●──┐
       ┷ .       ┷
        △          △ 
 in      │          │                out
..○───●          ●─────●──○
        │          │          │
       ┷     .   ┷          │
        △          △          │
        │          │          ┷ C
       └──●──┘,         ┯
              │                │
              >                │
              > R             .V
              >               GND
              │ 
              ○ Vs#


185 :774ワット発電中さん:2005/06/29(水) 18:55:46 ID:EEXNLAD2
ようがんばった。
回路AA簡単に作るツール誰か作らんかいのう。

186 :LightCone ◆sSJBc30S5w :2005/06/29(水) 19:18:58 ID:c7pTllk3
ADCやサンプル&ホールド回路をインターリーブ動作させるための時分割回路
です:
http://www.nowsmartsoft.or.tv/images/TimeDividerForInterleavingADC.png

コンパレータの伝達遅延時間を利用して時間差を作り、発振にも利用して
ます。

遅延時間の少ないコンパレータを使うともっと時間間隔を狭くできます。

ただ、発振しにくいタイプのコンパレータもあるかもしれないので注意が
必要です。

>>184
どうもありがとうございます。

この回路は、Rを大きくしても、小さくしてもジレンマがあるような。

187 :774ワット発電中さん:2005/06/30(木) 06:33:33 ID:P6HHOQmS
>>186
コンパレータの伝達遅延という現象は、電圧を比較するというコンパレータの
本来の機能とはことなる(好ましからざる)副作用でありデータシートでも
最大値と標準値が記載されているのみで、製造プロセスのばらつき、温度
はては電源電圧などの条件により簡単に2〜3倍のばらつきを生じるため、
実験室レベルならともかく、量産に持ち込むにはかなり無理があります。
このような回路はあくまで個人の趣味にとどめるべきでしょう。



188 :LightCone ◆sSJBc30S5w :2005/06/30(木) 10:15:41 ID:YEvYqZLY
>>187
確かにそうかも知れません。というわけで、正確な水晶発振器を
基準にした次のような回路の方が安定性は高いはずです:
http://www.nowsmartsoft.or.tv/images/TimeDividerForInterleavingADC2.png

しかし、発信できる最高周波数は低くなると思います。

189 :774ワット発電中さん:2005/06/30(木) 22:24:56 ID:yMXG/ZkB
>>188
そんなときこそオーバートーンとか周波数逓倍でしょう。


190 :LightCone ◆sSJBc30S5w :2005/07/01(金) 00:39:59 ID:0VDJOImg
>>189
そういう問題ではなく、、、。

191 :774ワット発電中さん:2005/07/08(金) 11:54:50 ID:7a0w6DX/
トランジスターさんは政治家さんより偉い

192 :774ワット発電中さん:2005/07/23(土) 19:00:48 ID:JdHxIIuD
◆<H2Aロケット>8号機の打ち上げを延期
ttp://headlines.yahoo.co.jp/hl?a=20050722-00000107-mai-soci

 宇宙航空研究開発機構(JAXA)は22日、今年9月に鹿児島県・種子島宇宙センターで行う予
定だったH2Aロケット8号機の打ち上げを延期すると発表した。搭載予定の大型衛星「陸域観測
技術衛星」(ALOS)の姿勢制御装置に使用している・・
・・恐れがあるのが理由としている。

> 米国製トランジスタに、異物が混入している恐れ
・・・・・・

193 :774ワット発電中さん:2005/07/23(土) 19:34:21 ID:qmag787U
日本製品の代替がきかないような余裕のない設計しやがって!
打ち上げ遅れの損失は設計者の給料から天引きね。

194 :774ワット発電中さん:2005/07/23(土) 22:23:53 ID:ogtiTd3m
純国産って言ってなかったっけ?

195 :774ワット発電中さん:2005/07/23(土) 23:11:45 ID:laGwOqgY
ロケットはね。

196 :774ワット発電中さん:2005/07/25(月) 10:36:01 ID:nEWDPK/X
>トランジスタってもういらなくね?

と言う友達はいらない。

197 :774ワット発電中さん:2005/07/26(火) 13:26:18 ID:azGBYv8g
>>398
がんばれ


198 :774ワット発電中さん:2005/07/29(金) 20:13:23 ID:tq9nApnL
>398のやつは今から準備しておけ。だいぶ先の話になるが。

199 :774ワット発電中さん:2005/07/30(土) 20:44:53 ID:Fk8ep3X3
すみませんが、初心者なもんで教えてください。
1MHz〜600MHz程度の発信回路にFETとTrと発振周波数の安定度に差があるのでしょうか。
Trの方が温度変化の影響をうけやすいとか言われているようですけど。
クラップ発振回路がVFOによく使用されますが、これはTrの容量変化の影響を受けにくいからだとか、どれも実証したことがないのでどなたかご教授してください。

200 :774ワット発電中さん:2005/07/30(土) 22:04:25 ID:97+QWOM6
       r───-/∠二ヽヽ. マ7__,.. ----──┐
        l      ー_-=' ´ ̄ ̄マ≧ー 、_    ソ
         l  -rァ7,.‐' _,       ヽ     \ ハ
        ゝ、 ∨/ァ'´   _,.- 、           ヽ7
       /ヽヽ/ {/    /ニ>'7/  i        \
      く   Yli ,' / i  l///////l l l li i  ヽ   \
       /\  | li '  l  !///////,リ l l ll l   li i ヽ.ヽ
      く.  /\! l! l  ,l i l__/,-‐//// j.j /l_jl  j ! l l ! l ヾ.
      /∨  V! l  i ! l7 //__/ //l /l//l/l/ト/ j j l li l  }
     i// //i  | l  l l レ/ト-:lヽ'  / //,ィテメ〃///// !j
      | l,-H-l  | l  l l l いッソ      トッソj l/イ l/ ソ
     ! l リ /弋! l  l l ト -,,    '   ー',, l/ lノ   にはは、手前で実証しる。
       | !/ / /j | l  l l ト、    こフ   ,イ  l
     ,レ'// // i| l  l l l ヽ、   '' _,. イl l  |
    ///_/-‐ 1 l  l l l、  ` ァ‐_,タ⌒ !l l  l
.  ///, '´     ! l  l l l \   { |./ク,ノ! l  ,リ
  ////   ヽ.   い. l l l  /、_フ //l  l l  /!
. ////    iヽ  i い l liト<.__,.イ j// l  l l  l l
// l/     い. l い. l l > '´,.-^ノ/ .! l l  l l
| l !        い !  い V  '´,.ィ゙)   l il l  l l
| l /       ! } j   ∨li   ,r' )   l l l  l  !
L/       l リ    V    /l    ll l  l  |

201 :774ワット発電中さん:2005/07/31(日) 04:08:23 ID:cfbcXFah
>>398は来年の春くらいか…。

202 :774ワット発電中さん:2005/07/31(日) 20:38:12 ID:hH//B/sM
>>199
その辺は、自作派ハムの人なんかが詳しいと思います。回路構成はもとより、
温度、電源電圧、バイアス電圧の与え方、さらには L, C の温度係数も考えて、
お互いに変化がキャンセルし合うように作ろうとするなら、ノウハウのかたまり
でしょうね。

203 :774ワット発電中さん:2005/08/02(火) 20:50:26 ID:6OMfWMWK
>>202
199ですが、その自作派の方にお聞きしているんです。

1MHz〜600MHz程度の発信回路にFETとTrと発振周波数の安定度に差があるのでしょうか。
Trの方が温度変化の影響をうけやすいとか言われているようですけど。
クラップ発振回路がVFOによく使用されますが、これはTrの容量変化の影響を受けにくいからだとか、どれも実証したことがないのでどなたかご教授してください。


204 :774ワット発電中さん:2005/08/03(水) 08:50:50 ID:kV2Kszer
>>202は、違うスレで聞いたら?ってことだと思ふ


205 :774ワット発電中さん:2005/08/03(水) 10:55:49 ID:ozeh9rUz
>>203
だいたい、1MHzと600MHzでは全然実態が異なることぐらい気付け。
それと、204嫁。

206 :774ワット発電中さん:2005/08/05(金) 17:30:16 ID:qyKdEcVZ
つまりわかる者はこのスレに存在しないってことだな。

207 :774ワット発電中さん:2005/08/05(金) 17:31:43 ID:X2vP9UhO
じゃーなくて、そういう質問では答えようがないということだ。

208 :774ワット発電中さん:2005/08/05(金) 23:24:39 ID:C0uWpCno
同意、子供にもわかるように説明すると、>>199は周波数をスピードに置き換えて考えると、
幼稚園児用の三輪車とF1用レーシングカーの設計を同じレベルであると考えているようだ。


209 :774ワット発電中さん:2005/08/06(土) 00:05:25 ID:sS5dLVJ0
1>>( Д ) ........_。........_。 コロコロコロ…
お馬鹿な私はトランジスタ無いと安く処理できる場所もIC使わなきゃ…
おいおい…何も出来ない…
ってか基本的なICの内部すら作れない…

210 :774ワット発電中さん:2005/08/06(土) 02:17:25 ID:pkaH/p0A
そうだな。
真空管有るし。

211 :774ワット発電中さん:2005/08/06(土) 05:48:44 ID:uCADKtBE
そうだよな。
俺はパラメトロンにするよ。

212 :774ワット発電中さん:2005/08/06(土) 13:58:55 ID:adQKSvci
ばかだな。ぱらめとろんなんかどこで売ってんだよ。

213 :774ワット発電中さん:2005/08/06(土) 14:00:07 ID:adQKSvci
>208例え方が幼稚

214 :774ワット発電中さん:2005/08/06(土) 17:42:27 ID:EHBGXy4v
もっと幼稚に、(個別? IC? ) トランジスタと、発振回路の周波数安定度に
どんな関係があるのか、よくわかりません。

215 :774ワット発電中さん:2005/08/06(土) 18:51:29 ID:x4DAByF7
>>213
わざわざ“子供にもわかるように”と断ってから書いているのに
“例え方が幼稚”とは、煽りにしてもレベルが低すぎ(^^)

216 :774ワット発電中さん:2005/08/07(日) 01:16:10 ID:1UebH1T7
発振周波数の安定度はゲート容量やコレクタ容量の変化の程度で変わる。
発振周波数の純度(C/N)はQが同じならトランジスタの超低周波特性で決まる。
UHF 以下ならバイポーラトランジスタに分がある。マイクロ波なら大抵 HEMT。

217 :774ワット発電中さん:2005/08/18(木) 18:09:11 ID:Gr8A977d
電流をコントロールできる なんてこたぁない素子の一つってことだ。

218 :774ワット発電中さん:2005/08/19(金) 19:14:16 ID:TT1woN5F
A970とA1015の違いは何ですか?


219 :お祭り好きの電気や  ◆gUNjnLD0UI :2005/08/19(金) 20:45:27 ID:6MgmlOne
>>218 定格(スペック)が違う。

220 :774ワット発電中さん:2005/08/19(金) 22:11:41 ID:aXFj+Ldv
>>218
似たような・・・ 何に使うの?


221 :774ワット発電中さん:2005/08/20(土) 09:32:34 ID:f+QM7zmP
>218
地道に比較しましょう。
ttp://www.semicon.toshiba.co.jp/release/omc/list_osc_tr.html

222 :笛の踊り ◆Toei/piGHQ :2005/08/23(火) 18:39:48 ID:Q7xwH+QT
UJTってもういらなくね?

223 :774ワット発電中さん:2005/08/27(土) 07:50:07 ID:cI+VoS8L
>222
踊らないぞ! (踊らせられないぞ! という言い方は、なぜ日本語では不自然なのか不明decyu。)

224 :774ワット発電中さん:2005/08/27(土) 20:53:41 ID:a8MFBVaY
「踊らされないぞ!」という日本語が出てこない方が不思議。

225 :774ワット発電中さん:2005/08/27(土) 22:44:11 ID:zpQEqdd7
UJT 銀行? UFJ?? だったら要らないぞ。

226 :774ワット発電中さん:2005/08/28(日) 01:52:46 ID:FZgHXYNV
 Uttuousii Jijiino Toroguruma
は確かに路上から消えてヨシ。

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