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基本的な半導体の・・・

1 :ナナーシ:04/09/22 23:37:37 ID:i2jEGUao
電子回路、電子制御、半導体などの問題点ってなんですか??

2 :ナナーシ:04/09/23 00:29:20 ID:KtAbZ20K
すいませんまちがえました。
ディスクリート素子を使って100Hz以上動作、PentiumPro互換命令セットの
CPUを作りたいんですがどうすればいいですか?

3 :774ワット発電中さん:04/09/23 09:23:38 ID:mImSBubR
諦めるのが一番早い。
詰まらんスレを起こす前に初心者スレで勉強しなおせ。

スペックを100Hzにするのであれば可能かもしれない。

まずはCPUの基本である4004をFPGAで作ってみる事をお勧めする。
簡単なCPUがどれくらいの速度まで出せるか勉強すれば今回の件が無謀であるとわかるはずだ。
読んだら削除依頼を自分で出しな・・・・・


4 :774ワット発電中さん:04/09/24 23:48:31 ID:nZRvelz8
クロックは商用電源を2逓倍ですか?

5 :774ワット発電中さん:04/09/25 00:13:03 ID:yPksa2lJ
>PentiumPro互換命令セットのCPUを作りたい
ディスクリートでか!
あんた漢だな。

6 :774ワット発電中さん:04/09/25 00:24:46 ID:9PSlPUPE
付加価値が下がってるってのが問題点かなぁ。

7 :恥ずかしい質問:04/09/25 10:53:17 ID:fvIhAFWP
電荷が電圧になる理由を教えてください。参考書によれば、
CCDのカメラにおいて、撮像部が複数の垂直シフトレジスタが並んで構成され
ています。
金属電極に駆動信号を加えると、電位の井戸に電子が集まってきます。この
電荷を出力部まで転送され、電荷を電圧として取り出す。と書かれています。
電子のマイナス電荷から電圧が取り出せるのですか。よろしくお願いします。  

8 :774ワット発電中さん:04/09/25 12:08:14 ID:Q88wYHWW
>>7
それって、コンデンサと同じ意味じゃないのかな?
  ||- +||
ーー||- +||ーーー
  ||- +||
光電効果で、発電というか、飛び出してきた電子をこのコンデンサに蓄える。
すると電圧が発生する。
この電圧でシフトレジスタのゲートをオープンにして、0/1のデータ1を入れる。
そして、シフトレジスタなので、clockで入ったデータ0/1を1bitづつ隣のラッチもしくはフリップフロップにスライドしていく。

9 :774ワット発電中さん:04/09/25 12:27:19 ID:Q88wYHWW
しつれい。
この場合、コンデンサは電子を溜めて、電子の吐き出し(+電荷の蓄積)については触れてないから、
コンデンサに溜まる電荷の様相は
   ||- +|| -
ーー||- +||-ーーー
   ||- +|| -
の模様。

10 :恥ずかしい質問:04/09/25 13:09:47 ID:fvIhAFWP
>>774ワットさん  ありがとうございました。2枚の板に左右にある
ーーーはなんだろうと考えたら、電線だと気がつきました。

11 :2:04/09/25 17:39:07 ID:oD6AeJ/+
なんかマジレスされてる('A`)
ゴメンナサイ

12 :774ワット発電中さん:04/09/25 22:02:44 ID:yPksa2lJ
>>11
もちろん、真面目なスレだとは思っていない、が
良くわかんないのは、>>1>>2の展開だ。
これはどういうジョークなのか?高度すぎて俺には解からん。
解説汁!

13 :774ワット発電中さん:04/09/25 22:33:40 ID:Q88wYHWW
>2
4004CPUのディスクリート作成ならあるぞ。
http://www.ics.kagoshima-u.ac.jp/edu/expII1/index.html
命令セットもやや少ないが、ベースはこれで行けるだろう。
ただ、これはマイクロプログラム制御方式だから、読めば分かるがマイクロプログラムを一行ずつ実行する、これは遅くなるし、パイプラインもやりにくい。
マイクロプログラムじゃなくワイヤードロジック(回路図でやる)でやるなら、例えば、4章5ページ目の命令フェッチサイクルは、
|IR-IN

| 16bit (命令フェッチしたら)  
|  ↓  ↓          __
IR−−−−−ORーーーーー|OR|
|IR-OUT     |     ー| |ーLD_MAR(MAR←PC)
          |      :|_|
         |    _    _
         −−−| |  |ラ|
         | −|OR|ー|ッ|ーLD_MBR
         |  :|_|  |チ| (MBR←MEM)
         |          ↑
         |         CLOCK
         |    _   _   _
         −−−| | |ラ| |ラ|
           −|OR|ー|ッ|ー|ッ|ーLD_IR
            :|_| |チ| |チ|(IR←MBR)
                   ↑    ↑
                  CLOCK  CLOCK
とやるやり方もある。また、これらは、真理値表、ブール代数演算を用いて、より少ないゲート数にできる場合もあるだろう。
さらにこうしておくと、パイプラインもやりやすい。
例えば、マイクロプログラムでメモリ演算やメモリ転送は6ステップ踏むが、同時にできるマイクロ操作もあるかもしれない、それを同時にやりやすい。
パイプラインについては、ここにわずかに詳しいブロック図がある。
http://www.arch.ce.hiroshima-cu.ac.jp/~kitamura/public/architecture_2003_01.pdf

14 :774ワット発電中さん:04/09/25 22:39:31 ID:ekb0Y0ST
めんどせぇことせずにCPU買えばいいじゃん。

15 :774ワット発電中さん:04/09/25 22:47:34 ID:Q88wYHWW
命令フェッチをワイヤードロジックでやった例を誤った。

前の命令
の実行
サイクル
のマイクロ
操作列
の最後の
ステップーーー|OR|
       |    ー| |ーLD_MAR(MAR←PC)
       |    :|_|
       |    _    _
       −−−| |  |ラ|
       | −|OR|ー|ッ|ーLD_MBR
       |  :|_|  |チ| (MBR←MEM)
       |          ↑
       |         CLOCK
       |    _   _   _
       −−−| | |ラ| |ラ|
         −|OR|ー|ッ|ー|ッ|ーLD_IR
          :|_| |チ| |チ|(IR←MBR)
                 ↑    ↑
                      CLOCK  CLOCK


16 :age:2005/04/03(日) 08:17:29 ID:d/PNWZX3


17 :774ワット発電中さん:2005/05/31(火) 19:48:15 ID:WHTcLDq9
基本的な質問をします。
MOSトランジスタにおいて、空乏層は電子を通さないはずなのに、
ピンチオフ(飽和領域)では、どうして空乏層を電子が流れるのですか?

18 :774ワット発電中さん:2005/06/01(水) 08:11:31 ID:Iys9xihC
>>17
空乏層はキャリア濃度が極めて低くて真性半導体同様に絶縁体に近い振る舞いをする。
だから電子が通れないわけではない。

ここへ隣の領域からキャリア(電子でも正孔でも良い)が加速された状態で注入されると、
ある割合で空乏層を通過できるのだ。このある割合がどうなっているか、は固体物性なり
半導体工学で議論されているので教科書調べて味噌。

19 :774ワット発電中さん:2005/06/06(月) 13:08:37 ID:Mz76LVdy
pn接合ダイオードの電流−電圧特性の実験を行ったとき、
電流を0にした時に電圧が0じゃなかったんですが、この原因ってなんだと思いますか?

20 :774ワット発電中さん:2005/06/06(月) 13:24:36 ID:Mz76LVdy
>>19
自己解決しました。ハズカスィ・・・

21 :774ワット発電中さん:2005/07/01(金) 18:24:10 ID:GOv1OPJF
>>2
重複スレとして誘導

技術屋ならCPU創るだろ?
http://science3.2ch.net/test/read.cgi/denki/1072113898/

22 :774ワット発電中さん:2005/07/09(土) 12:57:23 ID:h5qBNVWD
ここで半導体の設計試作検証が体験できるよ。
http://www.ksrp.or.jp/fais/soc/kouza/reservation.html

23 :774ワット発電中さん:2005/07/17(日) 22:23:00 ID:WC7S1nYv
鯖が重いのでてst

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